Другие варианты схемы схемы с насыщеным сердечником

May 29, 2010 by admin Комментировать »

Как было уже указано, инвертор с насыщаемым сердечником, представ­ленный на рис.2.1, только один из вариантов схемы. Четыре другие схе­мы изображены на рис.2.3. Они отличаются друг от друга конфигурацией обратной связи и способом включения транзисторов (с общей базой, с общим эмиттером или с общим коллектором). Другими отличиями мо­гут быть тип проводимости транзисторов (п-р-п или р-п-р), способы по­дачи смещения на базу и метод ограничения тока. Хотя такие схемы вза­имозаменяемы, все же имеются определенные преимущества и недостатки, присущие каждой из них.

clip_image002

(А) Общий эмиттер, одна обмотка обратной связи

clip_image004

(В) Общий эмиттер, обмотка обратной связи с отводом

clip_image006

(С) Общая база, обмотка обратной связи с отводом

clip_image008

(D) Общий коллектор, автотрансформаторная обратная связь

Рис. 2.3. Варианты двухтранзисторных однотрансформаторных инвер­торов с насыщаемым сердечником.

Схемы с общим эмиттером на рис. 2.ЗА и 2.3В наименее требователь­ны к мощности, потребляемой цепью базы. Это важный фактор в тех случаях, когда нужен высокий к.п.д. Когда цепь базы потребляет боль­шую мощность, эффективность трансформатора уменьшается из-за до­полнительных омических потерь в обмотках обратной связи. Схема на рис. 2.3С использует включение транзисторов с общей базой. В этой схе­ме транзисторы меньше подвержены пробою вследствие бросков напря­жения при переключениях. Кроме того, данная схема имеет меньшие потери при переключении транзисторов, особенно при высокой частоте колебаний. Однако эти преимущества обычно становятся несуществен­ными в связи с необходимостью обеспечить большой ток базы, необхо­димый для поддержания транзисторов в режиме насыщения.

Схема с общим коллектором на рис. 2.3D очень популярна. Эта по­пулярность объясняется не теоретическими выводами, а благодаря не­которым удобствам ее практической реализации. Одно из них состоит в единственной, хоть и с отводами, обмотке трансформатора. Трансформатор становится проще в производстве, а также увеличивается связь между секцией обратной связи и секцией первичной обмотки. Но наибо­лее замечательным достоинством этой схемы является возможность монтировать оба транзистора непосредственно на одном радиаторе, что обеспечивает минимальное тепловое сопротивление между корпусом транзистора и радиатором. Благодаря этой практической уловке, макси­мальная мощность такой схемы часто превышает возможности других схем, в которых транзисторы приходится электрически изолировать от радиатора. Мощность необходимая для управления базой в этой схеме, имеет промежуточное значение между мощностью в схеме с общим эмиттером и мощностью в схеме с общей базой. Так же как и для схемы с общим эмиттером, необходимо убедиться, что быстродействие транзи­сторов достаточно для выбранной частоты колебаний. Следует обратить внимание на то, что фазировка первичных обмоток и обмоток обратной связи не одинакова для всех схем, показанных на рис.2.3.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты