STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET

September 8, 2010 by admin Комментировать »

Компания STMicroelectronics анонсировала новую серию 30-вольтовых транзисторов в корпусах для поверхностного монтажа с сопротивлением канала в открытом состоянии менее 2 мОм.

Использование последнего поколения технологии STripFETTM VI DeepGATETM позволяет компании достичь снижения сопротивления на 20% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов и, как результат, использовать небольшие корпуса для поверхностного монтажа при разработке импульсных регуляторов напряжения и DC/DC-конвертеров. Достоинством этой технологии является также очень низкий заряд затвора, обеспечивающий высокую частоту переключения и использование пассивных компонентов обвязки с меньшими размерами.

Широкий выбор корпусов, включающих SO8, DPAK, 5×6 мм PowerFLAT, 3,3×3,3 мм PowerFLAT, PolarPAK, IPAK и SOT23-6L предоставляет большие возможности разработчикам в создании малогабаритных высокоэффективных источников питания.

В настоящее время доступны образцы транзисторов STL150N3LLH6 (1,6 мОм) в корпусе PowerFlat и STD150N3LLH6 в корпусе DPAK (2,4 мОм), а серийное производство предполагается начать в третьем квартале 2009 года.

http://www.compel.ru/news/producers/2009042305/ml


Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты