Полупроводниковые элементы

February 21, 2011 by admin Комментировать »

Первая буква (цифра) обозначения Г(1) — германий или К(2) — кремний.

Диоды:

Наименование

иПР

1ПР, мА

1С., в

1 ;;\мл

Wчгц

Примечание

Д9Б — Ж

1,0

10…90

10…100

15…20

>0,1

Ge (высокочастотный)

Д223

1,0

50

50

50

>20

Si (высокочастотный)

КД503Б

1,2

10

30

20

>100

Si (импульсный)

КД102Б

1.0

50

300

100

>0,004

Si (силовой, НЧ)

Светодиоды:

Наименование

IV. *

Ipp t мА

1С", в

с2‘. мА

 

Примечание

АЛ307АМ. БМ. КМ

2,0

20

2.0

20

665

красный

АЛ307ДМ, ЕМ. ЖМ

2,5

22

2,0

22

700 (560)

желтый

АЛ307ВМ, ГМ. НМ

2,8

22

2.0

22

567

зеленый

Стабилитроны:

Наименование

1 inomln о СТДБ

Г’" /и А

СТАВ.’

¦nomln д СТАБ.1

Га< мА

СТАБ ‘

РМАХ- мВт

Аналог

КС133А

3,3

3

10

81

300

2С133А

КС147А

4,7

3

10

58

300

2С147А

КС156А

5,6

3

10

55

300

2С156А

КС162А

6,2

3

10

22

150

2С162А

КС191А

9,1

3

5

15

150

2С191А

Д808

7…8,5

3

5

33

280

КС168А —КС182А

Д814А — Д

7…14

3

5

<120

340

2С468А — 2С515А

Тиристоры:

Наименование

и™, в

‘уп. отп,-

¦ 1 шах о

иПР ЗАКР 1 "

Гах мй

1 ЗАКР •

Р™", мВт

Аналог

КУ101Г

0,25…10

0,05…7.5

80

75

150

2У101Г

КУ104Г

2 (имп.)

15 (имп.)

100

100

20

2У104Г

Транзисторы биполярные и транзисторные сборки лавинных транзисторов:

Наименование

 

 

Ркт". мВт

Р

Гшх-МГц

Примечание

ГТ311Е, Ж. И

12; (10 —И)

50

150

20…300

>300

Ge-npn ВЧ, аналог — 1Т311

ГТ313А — В

15

30

100

20…170

>300

Ge-pnp ВЧ, аналог — 1Т313

КТ315А — К

15…60

50…100

100..150

30…350

>100

Si-npn высокочастотный

Наименование

и™", В

I ™\мА

Ркт", мВт

Р

 

Примечание

 

КТ361А — Е

20…40

50

150

20…350

>100

Si-npn высокочастотный

 

КТ805АМ

130

10000

30000

20 …125

>8

Si-npn мощный низкочастотный

 

К101КТ1

8

(лавин.)

10

(1 — лавин.)

<0,1

Si-npn сборка 2 транзистора

 

К162КТ1

8

(лавин.)

15

(1 — лавин.)

<0.1

Si-pnp сборка 2 транзистора

 

 

Транзисторы полевые:

Наименование

1С", я

\™\мА

Р™, мВт

S, мА/В

IW МГц

Примечание

КП103А — Ж, И — М

10…12

7…120

0,4…4,4

>3

р-п-переход, р-канал

КПЗОЗА — Е, Ж, И

25

20

200

1…7

>100

р-п-переход.п-канал

КП305А —Е, Ж, И

15

15

150

4. .10,5

>250

изол. затвор, п-канал

 

Микросхемы:

Наименование

ипит•в

‘нлгр •

Характеристики

Fma хМГц

Примечание

К561ЛЕ5

5…15

<0,5

Ul>0,67UnMT;

ио<о,ззипит

<2

DIP14; аналог К564ЛЕ5

К561КТЗ

5…15

<10

RKnlO4A=50…100 Ом

<2

DIP14; аналог K564KT3

К554САЗ

<30

<50

К"ус >150000

<3

DIP 14; аналог K523CA3

 

Телефоные капсюли:

Наименование

Полоса частот. Гц

Неравно­мерность, ДБ

Полное эл. сопр. на f=1 кГц, Ом

Сопр. пост, току. Ом

Ср. звук, давление, Н/м2

Применение

 

ТА-4

300…4000

13

400

65

15

Телеф. аппараты, связь

 

Наименование

Полоса частот, Ги

Неравно­мерность, ДБ

Полное эл. сопр. на 1=1 кГц, Ом

Сопр. пост, току, Ом

Ср. звук, давление, Н/м*

Применение

ТА-47

300…3000

35

130

>5,0

Связь

ТА-56М

300…3000

13

300

5,5…10

Телеф. аппараты, связь

ТК-67 (-Н)

300…3400

10

260

40

8…14

Телеф. аппараты, связь

ТМ-2 (ТМ-4)

300…3000

27

240…360

80

>4.0

Слуховые аппараты

ТОН-1

300…3000

2200

Радиоприем

ТОН-2 (М)

300…3000

35

6000

1600

>4,0

Радиоприем, слухов, аппараты

Т0Н-2А

300…3000

35

182-338

>4.0

Радиоприем

ДЭМ-4М

200..3000

10

600

6..28

Микрофон — телефон

 

Корпуса:

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты