Полупроводниковые фотодиоды

March 24, 2011 by admin Комментировать »

Так называют приборы, выполненные на основе р-п-перехода двух полупроводников, закрытых светопроницаемым материалом. При освещении перехода в нем возникает фотоЭДС. Фотодиоды обладают чувствительностью к свету в диапазоне волн от видимого (400…760 нм) до инфракрасного (760…1000 нм) излучения.

По сравнению с фоторезисторами, фотодиоды менее чувствительны к излучению, но зато обладают малой инерционностью, что наиболее важно для систем автоматики и управления, где требуется высокое быстродействие (для фотодиодов типовым является время переключения l0…50 нс). Чаще всего они применяются в различных оптических датчиках и для дистанционного приема информации.

Параметры некоторых распространенных фотодиодов отечественного производства приведены в табл. 2.

Таблица 2. Основные параметры фотодиодов

Источник: Радиолюбителям: полезные схемы. Книга 6. — M / СОЛОН-Пресс, 2005. 240 с.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты