Полевые транзисторы их прозвонка и проверка

April 14, 2011 by admin Комментировать »

В отличие от биполярных, полевых транзисторов существует много видов и при проверке надо учитывать, с каким из них вы имеете дело. Так, для проверки транзисторов, имеющих затвор на основе запорного слоя р-п-перехода, можно воспользоваться эквивалентной схемой, приведенной на рис. 6.14.

Рис. 6.14. Диодно-резисторный эквивалент п- и р-канальных полевых транзисторов

Для прозвонки подойдет обычный стрелочный омметр, но, цифровым прибором в режиме контроля р-п-переходов делать это более удобно. При проверке сопротивления между истоком и стоком только не забудьте снять заряд с затвора после предыдущих измерений (кратковременно замкните его с истоком), а то можно получить неповторяющийся результат.

Многие маломощные «полевики» (особенно с изолированным затвором) очень чувствительны к статике. Поэтому, перед тем как брать в руки такой транзистор, позаботьтесь о том, чтобы на вашем теле не оказалось зарядов. Чтобы их снять, достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

Несмотря на то, что мощные полевые транзисторы часто имеют защиту от статики, но все равно пренебрегать мерами предосторожности не следует.

Многочисленный класс MOSFET-транзисторов (предназначен для работы в ключевом режиме) не имеет р-п-переходов между электродами (изолированный затвор). Из-за большого сопротивления диэлектрического слоя у затвора, если транзистор явно не пробит (для выявления этого прозвонка все же не помешает), убедиться в его работоспособности не удастся — прибор покажет бесконечно большое сопротивление. Для проверки таких транзисторов можно воспользоваться одним из приспособлений, показанных на рис. 6.15.

Рис. 6.15. Приставки для проверки MOSFET-транзисторов: а — цифровым тестером в режиме прозвонки диодов; б — стрелочным омметром (тестером)

Для удобства подключения к выводам транзистора можно воспользоваться гнездами контактной колодки типа СНП64-96Р (или СИП34С-135Р) и любыми миниатюрными кнопками. Схема может подключаться к цифровому мультиметру в режиме проверки диодов или же к любому другому источнику напряжения не более 9 В (в пЬследнем случае в цепь затвора ставится светодиод АЛ307БМ (или подобный) и ограничивающий ток резистор 200…560 Ом). Можно использовать также и стрелочный омметр в режиме изме- рбния килоомных сопротивлений.

В схеме на рис. 6.15, а, пока кнопка SB1 не нажата, на конденсаторе C1 происходит накопление заряда — исправный транзистор в это время должен быть закрыт — мультиметр покажет бесконечность. Нажатие на кнопку приводит к открыванию транзистора за счет напряжения с C1, что сразу будет видно по показаниям прибора (или свечению светодиода). Причем из-за наличия у полевых транзисторов с изолированным затвором своей значительной входной емкости и очень малой утечки он останется открытым и после того, как мы отпустим кнопку (пороговое напряжение открывания транзисторов обычно составляет 2…4 В). Но в этом случае конденсатор C1 теперь уже подключится к малому напряжению, которое действует на стоке открытого транзистора, и разрядится до уровня менее 1 В. При повторном нажатии на кнопку этого напряжения будет уже недостаточно для поддержания транзистора в открытом состоянии. Имеющийся заряд затвора разрядится, и транзистор закроется. Таким образом, мы получили триггер, управляемый переключением от одной кнопки, который позволяет проверить работу «полевика» в ключевом режиме.

Схема на рис. 6.15, б более универсальна и содержит вторую кнопку (SB2), которая при нажатии разряжает емкость затвора, замыкая его на общий провод, что позволяет выключить транзистор (то есть полностью закрыть), независимо от положения SB1. Такая возможность может пригодиться при проверке цифровых полевых ключей (у них пороговое напряжение около 1 В).

Во многих мощных MOSFET-транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный обратно включенный (параллельно) диод. Такой переход ведет себя как обычный диод, если изменить полярность питания — это надо знать, чтобы ошибочно не принять транзистор за пробитый. В наличии такого диода и его исправности можно убедиться при помощи мультиметра.

Для проверки работы биполярных и полевых MOSFET-транзи- сторов в ключевом режиме можно также использовать приставку на аналоговом таймере из серии 555 [2]. В ней формируются управляющие импульсы и контролируется состояние перехода эмит- тер-коллектор (исток-сток) по свечению светодиода, установленного в цепи нагрузки.

Источник: Радиолюбителям: полезные схемы. Книга 6. — M / СОЛОН-Пресс, 2005. 240 с.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты