Полупроводниковые фоторезисторы

April 14, 2011 by admin Комментировать »

Принцип действия фоторезисторов основан на эффекте фотопроводимости полупроводниковых материалов. Максимальное сопротивление (RT) они имеют в темноте, а при засветке уменьшают свою величину в 20… 150 раз. У таких элементов в корпусе есть прозрачное для доступа света окно и два вывода, рис. 2. Полярность напряжения на выводахдля работы значения не имеет.

Рис. 2. Внешний видфоторезисторов

Большинство фоторезисторов предназначены для работы в диапазоне видимого света (300…750 нм), но ихспектр чувствительности перекрывает и инфракрасный диапазон волн, а у некоторых (СФ2-18 и СФ2-19) заходитдаже наультрафиолетовый учасгок.

Параметры распространенных фоторезисторов отечественного производства приведены в габл. I.

Таблица 1. Основные параметры фоторезисторов

Источник: Радиолюбителям: полезные схемы. Книга 6. — M / СОЛОН-Пресс, 2005. 240 с.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты