История создания светодиодов видимого диапазона оптического спектра из AlInGaP

August 31, 2011 by admin Комментировать »

Система материалов AlInGaPподходит для получения яркого свечения в красном (626 нм), оранжевом (610 нм) и желтом (590 нм) спектральных диапазонах и в настоящее время является основной для изготовления светодиодов повышенной яркости, излучающих свет в данном интервале длин волн. На рис. 1.13 приведены примеры наи-

Рис. 1.13. Примеры применений светодиодов красного и желтого свечения из

AllnGaP

 

более распространенных применений светодиодов из AllnGaPкрасного и желтого свечения.

Материалы на основе AllnGaPбыли разработаны в Японии для лазеров, работающих в видимом диапазоне оптического спектра (Kobayashietal., 1985; Ohbaetal., 1986; Ikedaetal., 1986; Itayaetal., 1990). Bсeначалось с изготовления лазера AlInGaP/InGaPс двойной гетероструктурой, использующего в качестве активного материала In0.5Ga0.5P, параметры решетки которого совпадают с параметрами GaAs). Поскольку ширина запрещенной зоны InGaPсоставляет около 1,9 эВ (650 нм), этот материал может использоваться для изготовления лазеров, излучающих свет в красной области видимого спектра. Такие лазеры применяют, например, в лазерных указках и DVD-проигрывателях.

Добавление алюминия к активной области InGaPпозволяет сместить излучение в сторону более коротких волн, захватывая оранжевый и желтый спектральные диапазоны. Однако (AlxGa1-x)0,5In0,5Pпри X≈0,53 становится непрямозонным полупроводником, что приводит к сильному снижению его к. п. д на длинах волн, λ≤600 нм. Следовательно, этот материал не подходит для изготовления высокоэффективных светодиодов, излучающих свет с длинами волн меньше 570 нм.

Первые лазеры AlInGaPпоявились в начале 1980-х гг., а развитие светодиодов AlInGaPначалось в конце 1980-х (Кио etal., 1990; Fletcheretal., 1991; Sugawaraetal., 1991). В отличие от лазеров AllnGaPв структуру светодиодов обычно входят слои растекания тока, вводимые для того, чтобы светилась только плоскость р-n-перехода и не светилась область, расположенная ниже верхней части омического контакта.

Дальнейшие усовершенствования светодиодов AlInGaPбыли связаны с созданием в активной области, состоящей из нескольких квантовых ям (Huang, Chen, 1997; Chang, Chang, 1998a, 1998b), распределенных отражателей Брэгга (Huang, Chen, 1997; Changetal., 1997) и разработкой технологии изготовления прозрачных GaPподложек (Kish, Fletcher, 1997). В книгах ряда авторов (Stringfellow, Craford, 1997; Mueller, 2000; Kramesetal., 2002) можно найти сравнительный анализ систем AlInGaPи светодиодов на их основе.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты