Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка

August 6, 2011 by admin Комментировать »

Независимо от того, является полупроводник легированным или нет, в нем всегда присутствуют оба типа свободных носителей: электроны и дырки. В условиях равновесия, т. е. когда материал не подвергается никаким внешним воздействиям, например воздействию света и электрических полей, выполняется закон действующих масс, который гласит, что произведение концентраций электронов и дырок при заданной температуре является константой, т. е.

Это выражение называется уравнением скорости бимолекулярной рекомбинации, а В — коэффициентом бимолекулярной рекомбинации. Для полупроводников типа АIIIВv типичные значения коэффициента В составляют 10-11-10-9 см3/с и его можно определить по модели Ван Розбрука-Шокли, описанной в гл. 3.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты