Распределение носителей в гомогенных р-n-переходах

August 22, 2011 by admin Комментировать »

Распределение носителей тока в гомогенных р-п-переходах, т. е. в переходах в пределах одного материала, зависит от коэффициента диффузии носителей. Коэффициент диффузии носителей измерить довольно трудно. Гораздо проще экспериментально определить подвижность носителей, используя для этого, например, эффект Холла, а коэффициент диффузии получить из соотношения Эйнштейна, которое для невырожденных полупроводников имеет вид

Носители, инжектированные в нейтральный полупроводник в отсутствие внешних электрических полей, перемещаются за счет диффузии. При инжектировании носителей в область с проводимостью противоположного типа неосновные носители начинают» рекомбинировать случайным образом. Среднее расстояние, которое пролетают неосновные носители до рекомбинации, называется диффузионной длиной. Электроны, инжектируемые в область р-типа, до рекомбинации с дырками диффундируют в среднем на расстояние, равное диффузионной длине Ln- Для нахождения диффузионной длины используют выражения

где τ и τр — времена жизни неосновных носителей: электронов или дырок. В типичных полупроводниках диффузионная длина равняется нескольким микрометрам. Например, диффузионная длина электроновв GaAs р-типа

Рис. 4.8. Распределение носителей в р-n-переходе в условиях нулевого (а) и прямого (б) смещения, р-n-гетеропереход при прямом смещении (в). В гомогенных переходах носители до рекомбинации пролетают в среднем расстояния, равные диффузионным длинамLnилиLp.В гетеропереходах носители заключены в области между двумя барьерными слоями

 

 

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты