Светодиоды с кристаллами разной геометрии

August 30, 2011 by admin Комментировать »

Многократное отражение излучения внутри полупроводников с высокими показателями преломления является одной из наиболее важных проблем, с которой приходится сталкиваться при разработке мощных светодиодов.

На рис. 9.3 показан пример излучения, локализованного внутри полупроводника. По закону Снеллиуса луч света, испущенный в активной области, может подвергнуться полному внутреннему отражению. В случае высоких показателей преломления угол полного внутреннего

отражения можно оценить при помощи следующего приближенного соотношения:

Рис. 9.7. Зависимость внешнего квантового выхода излучения от тока для светодиода красного цвета свечения (650 нм), имеющего форму перевернутой усеченной пирамиды (TIP), и светодиода с большой площадью р-п-перехода, смонтированного в корпусе мощной лампы (LJ). Коэффициент оптического вывода светодиода TIPпревысил аналогичный показатель светодиода LJв 1,4 раза и при 100 мА составил 55% от максимального значения внешнего квантового выхода (Kramesetal., 1999)

 

В работах Шмида и др. (Schmidetal., 2000, 2001, 2002) для повышения коэффициента оптического вывода светодиодов предложено использовать конические элементы. Показано, что при применении таких элементов в инфракрасных светодиодах GaAsвозможно улучшение внешнего квантового выхода до 50%. Однако эти диоды обладают довольно низкой мощностью излучения, что связано с требованиями к площади поверхности конуса вывода излучения, из-за которых область инжекции становится намного меньше общей площади светодиода.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты