УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

August 27, 2011 by admin Комментировать »

Активные области светодиодов, излучающих в УФ-диапазоне с длинами волн меньше 360 нм, обычно формируются из AlGaNили в виде множественных квантовых ям Al^Gai-xN/AlyGai-yN. Такие светодиоды,. как правило, обладают довольно низким внешним квантовым выходом, обычно менее 1 %, хотя в последние годы и здесь наблюдается значительный прогресс (Zhangetal., 2002а, 2003; Yasanetal., 2002; Kipshidzeetal., 2003; Fischeretal., 2004; Kimetal., 2004; Oderetal., 2004; Razeghi, Henini, 2004; Shakyaetal., 2004) 0.

Haрис. 13.17 показаны спектры излучения светодиодов дальнего УФ-диапазона на основе AlGaN/AlGaNс контактами гребенчатой формы при разных токах инжекции (Fischeretal., 2004). Для получения излучения на длине волны 290 нм активная область таких светодиодов была сформирована из трех квантовых ям Alo,36Gao,64Nи барьерных слоев Alo,48Gao,52N. Спектр излучения этих светодиодов состоит из одной узкой линии с пиком на длине волны 289 нм. Однако

‘) Обзор последних работ по УФ-светодиодам был сделан Азиф Ханом [8].

Рис. 13.17. Спектры излучения светодиодов далекого УФ-диапазона на основе AlGaN/AIGaNс множественными квантовыми ямами при разных токах инжекции: а —линейный масштаб, б — полулогарифмический масштаб. Для кристаллов большой площади использовались контакты гребенчатой формы (в)

(Fischeretal., 2004)

 

при построении спектров данных светодиодов в полулогарифмическом масштабе на них можно увидеть еще один небольшой пик вблизи 330 нм (3,76 эВ <                                                        При размерах светодиодов 200 х 200 мкм^

и 1 X 1 мм^ напряжения прямого смещения соответственно составили 7 В и 6 В при токе 20 мА.

При рассмотрении УФ-светодиодов на основе AlGaN/AlGaNнеобходимо обратить внимание на следующее.

—   Адсорбция алюминием кислорода. Алюминий обладает свойством притягивать кислород, поэтому с ростом концентрации алюминия в слое AlGaNв нем также появляется и кислород, который формирует там глубокие DX-подобные примесные уровни (McCluskeyetal., 1998; Wetzeletal, 2001).

—   Проводимость AlGaN.Проводимость AlGaNn- и р-типа снижается с ростом молярной доли алюминия, особенно заметно при молярной доле алюминия более 30% (Katsuragawaetal., 1998; Goepfertetal., 2000; Jiang, Lin, 2002). Это ведет к повышению удельного сопротивления барьерных слоев и последовательного сопротивления светодиодов. Проблемы с проводимостью особенно ощутимы в слоях AlGaNр-типа. Для облегчения легирования материала акцепторами применяются сверхрешетки Al^Gai-xN/AlyGai-yN.

—   Поперечная проводимость. В светодиодах, выращенных на диэлектрических подложках со стандартной конфигурацией контактов по бокам структуры, за проводимость в поперечном направлении отвечает слой AlGaNп-типа. Поскольку с ростом концентрации алюминия повышается удельное сопротивление такого слоя, легированного кремнием, увеличивается и последовательное сопротивление самого светодиода. Для компенсации этого эффекта необходимо уменьшать среднее расстояние, которое электронный ток

проходит вдоль слоя AlGaNп-типа. Этого можно добиться либо используя матрицу светодиодов (Kimetal., 2003; Khan, 2004), либо при помощи контактов гребенчатого типа с близким расположением зубцов.

—    Сопротивление контактов. Поскольку AlGaNобладает большой шириной запрещенной зоны, а контакты и барьерные слои, как правило, являются еще более широкозонными материалами, при больших концентрациях алюминия очень трудно обеспечить низкое сопротивление контактов.

—   Диффузия акцепторов. В процессе эпитаксиального роста верхнего барьерного слоя акцепторные примеси типа магния могут диффундировать обратно в активную область, что неминуемо приведет к снижению квантового выхода. Диффузия акцепторов и связанное с ней уменьшение квантового выхода могут наложить ограничение на максимальную толщину барьерных слоев р-типа.

—   Потенциальные барьеры на гетеропереходах. Из-за большой ширины запрещенной зоны в светодиодах на основе AlGaNнаблюдаются большие разрывы зон на гетерограницах. Плавное изменение химического состава вблизи гетерограниц позволяет снизить сопротивление этих областей.

—   Пропускание света. Для снижения перепоглощения во всех слоях светодиода необходимо поддерживать высокую концентрацию алюминия, что определяет их прозрачность для излучения.

—   Разрывы. Пленки AlGaN, выращенные на подложках GaN, находящихся в ненапряженном состоянии, из-за меньшего периода кристаллической решетки будут испытывать напряжение растяжения. При достаточно большой толщине пленки могут разорваться. Однако при использовании для компенсации напряжений слоев со сверхрешетками с большой концентрацией алюминия, вероятность таких разрывов можно значительно снизить или даже устранить (Неагпе etal., 2000; Hanetal., 2001; Zhangetal., 2002b). Компенсационные сверхрешетки уменьшают значения постоянных решеток таким образом, что последующие эпитаксиальные слои испытывают гораздо меньшее растяжение или даже находятся в чуть сжатом состоянии. В работе (Неагпе etal., 2000) приведена методика численного определения максимально допустимой толщины слоя, находящегося в состоянии растяжения, при которой разрыва этого слоя не происходит.

На рис. 13.18, а и б показаны микрофотографии пленок Alo.isGao.ssNтолщиной 0,9 мкм, выращенных с применением подложки с компенсационной сверхрешеткой и без нее. Рис. 13.18,6 соответствует случаю выращивания слоя AlGaN, свободного от разрывов, на компенсационной подложке со сверхрешеткой AlN/Alo,45Gao,55Nиз 10 периодов с одинаковой толщиной барьерного слоя и квантовой ямы, равной 10 нм.

Рис. 13.18. Микрофотографии пленок Alo,i5Gao,85N, выращенных с применением подложки с компенсационной сверхрешеткой AlN/Alo,46Gao,55N (SL) (б) и без нее (а). Сверхрешетка состоит из 10 периодов с одинаковой толщиной барьерного слоя и квантовой ямы, равной 10 нм. Углы между линиями разрыва

часто равны 60° и 120°

 

Упражнение. Разрывы

Почему разрывы происходят в эпитаксиальных слоях, испытывающих двухосное растяжение, а не в слоях в состоянии двухосного сжатия?

Ответ. Изгиб подложки с возможным последующим разрывом эпитаксиальных пленок, находящихся в состоянии растяжения, высвобождает энергию деформации пленки. Для эпитаксиальных слоев, испытывающих сжатие, энергия деформации может быть высвобождена либо изгибом подложки и пленки, либо сплющиванием пленки. Поскольку при сжатии слоев трещинам просто негде образовываться, разрывов пленок, находящихся в таком состоянии, как правило, не происходит.

Заключенная в гомогенной эпитаксиальной пленке энергия деформации вызванной несоответствием параметров решеток слоя и подложки, пропорциональна толщине этой пленки. При увеличении толщины пленки, находящейся в напряженном состоянии, всегда находятся точки, в которых происходит выделение энергии деформации, что выражается в возникновении дислокаций несоответствия и разрывах. Критическая толщина гомогенного эпитаксиального слоя, при которой в нем начинают формироваться дислокации несоответствия, определяется законом Мэттью-Блэйксли(Matthew, Blakeslee, 1976). При увеличении толщины эпитаксиального слоя выше критического значения в отдельных местах пленки появляются разрывы. В работе (Неагпе, 2000) приведена формула для оценки критической толщины пленки, при которой она в состоянии двухосного растяжения начинает разрываться.

Напряжение прямого смещения (V/) УФ-светодиодов на основе AlGaNчасто значительно превышает величинуhv/e.В зависимости от структуры светодиода, это избыточное напряжение может возникать либо на контакте р-типа, либо на барьерном слое AlGaNр-типа, либо на слое AlGaNп-типа, обеспечивающем поперечную проводимость, либо на униполярных гетеропереходах.

Для светодиодов с низкой и средней эффективностью, а также для мощных диодов желательно использовать корпуса с низким тепловым сопротивлением. С целью предотвращения излищне высоких температур активной области тепло, возникающее в светодиодах из-за высокого напряжения смещения и низкого квантового выхода, необходимо рассеять. В работе (Moritaetal., 2004) описана структура светодиода, обладающего высоким теплоотводом. В данном светодиоде при помощи лазера удалили сапфировую подложку, а эпитаксиальный слой соединили непосредственно с радиатором CuW, используя припой AuSn.

Библиографическийсписок

Albrecht М.., Strunk Н. Р., Weyher J.L., Grzegory I., Porowski S., and Wosin ski T. "Carrier recombination at single dislocations in GaN measured by cathodoluminescence in a transmission electron microscope" J. Appl. Phys 92, 2000 (2002).

Amano H., Kito M., Hiramatsu K., and Akasaki I. "P-type conduction in Mg doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI)" Jpn J. Appl. Phys.28,L2112 (1989).

Ambacher O., Smart J., Shealy J. R., Weimann N. G., Chu K., Murphy M. Schaff W.J., Eastman L.F. Dimitrov R., Wittmer L., Stutzmann M. Rieger W. and Hilsenbeck J. "Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face Al GaN/GaN heterostructures" /.Appl. Phys.85, 3222 (1999).

Ambacher O., Foutz В., Smart J., Shealy J.R., Weimann N.G., Chu K. Murphy M., Sierakowski A. J., Schaff W.J., Eastman L.F., Dimitrov R. Mitchell A., and Stutzmann M. "Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures" J. Appl. Phys.87, 334 (2000).

Ambacher O., Majewski J., Miskys C., Link A., Hermann M., Eickhoff M., Stutzmann M., Bernardini F., Fiorentini V., Tilak V., Schaff W.J, and Eastman L.F. "Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero- and quantum well structures" J. Phys.: Condens. Matter14, 3399 (2002).

Bernardini F., Fiorentini V., and Vanderbilt D. "Spontaneous polarization and piezoelectric constants of Ill-V nitrides" Phys. Rev.В 56, RIO 024 (1997).

Chichibu S., Azuhata Т., Sota Т., and Nakamura S. "Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures" Appl. Phys. Lett.69, 4188 (1996).

Fischer A.J., Allerman A.A., Crawford M.H., Bogart K.H.A., Lee S.R., Kaplar R.J., Chow W.W., Kurtz S.R., Fullmer K.W., and Figiel J.J. "Room-temperature direct current operation of 290 nm light-emitting diodes with milliwatt power levels" Appl. Phys. Lett.84, 3394 (2004).

Gessmann Т., Li Y.-L., Waldron E.L., Graff J.W., Schubert E.F., and Sheu J.K. "Ohmic contacts to p-type GaN mediated by polarization fields in thin In^Gai-xN capping layers" Appl. Phys. Lett.80, 986 (2002).

Goepfert I. D., Schubert E. F., Osinsky A., and Norris P. E. "Demonstration of efficient p-type doping in AlGaN/GaN superlattice structures" Electron. Lett. 35,1109 (1999).

Goepfert I.D., Schubert E.F., Osinsky A., Norris P.E., and Faleev N.N. "Experimental and theoretical study of acceptor activation and transport properties in p-type AUGai_a:N/GaN superiattices" L Appl. Phys.88, 2030 (2000).

Hangleiter A., Hitzei F., Netzel C., Fuhrmann D., Rossow U., Ade G., and Hinze P. "Suppression of nonradiative recombination by V-shaped pits in GalnN/GaN quantum wells produces a large increase in the light emission efficiency" Rev. Lett.95, 127402 (2005).

Han J., Waldrip K.E., Lee S.R., Figiel J.J., Hearne S.J., Petersen G.A., and Myers S. M. "Control and elimination of cracking of AlGaN using low-temperature AlGaN interiayers" Appl. Phys. Lett.78, 67 (2001).

Hearne S.J., Han J., Lee S.R., Fioro J.A., Follstaedt D., Chason M.E., and Tsong I. S.T. "Brittle-ductile relaxation kinetics of strmned AlGaN/GaN heterostructures" Appl. Phys. Lett.76, 1534 (2000).

International Congress on Light, Copenhagen, Denmark (1932).

Jiang H.X. and Lin J. Y. "AlGaN and InAlGaN alloys – epitaxial growth, optical and electrical properties, and applications" Opto-Electron. Rev.10, 271 (2002).

Katsuragawa M., Sota S., Komori M., Anbe C., Takeuchi Т., Sakai H., Amano H., and Akasaki I. "Thermal ionization energy of Si and Mg in AlGaN"/. Cryst. Growth189/190, 528 (1998).

Khan M. A. "Deep-ultraviolet LEDs fabricated in AlInGaN using MEMGCVD" Proc. SPIE5530, 224 (2004).

Kim K.H., Li J., Jin S.X., Lin J.Y., and Jiang H.X. "Ill-nitride ultraviolet light- emitting diodes with delta doping" Appl. Phys. Lett.83, 566 (2003).

Kim K.H., Fan Z.Y., Khizar M., Nakarmi M.L., Lin J.Y., and Jiang H.X. "AIGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on AIN epiiayers" Appl. Phys. Lett.85, 4777 (2004).

Kipshidze G., Kuryatkov V., Borisov В., Holtz M., Nikishin S., and Temkin H. "AlGalnN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on Si ?111?" Appl. Phys. Lett.80, 3682 (2002).

Kipshidze G., Kuryatkov V, Zhu K., Borisov В., Holtz M., Nikishin S., and Temkin H. "AlN/AlGalnN superlattice light-emitting diodes at 280 nm" J. Appl. Phys.93, 1363 (2003)..

Koleske D.D., Coltrin M.E., Cross K.C., Mitchell C.C., and Ailerman A., A. "Understanding GaN nucleation layer evolution on sapphire" I. Cryst. Growth 273, 86 (2004).

Kozodoy P., Hansen M., DenBaars S.P., and Mishra U.K. "Enhanced Mg doping efficiency in AIqгСаоsN/GaN superiattices" Appl. Phys. Lett.74, 3681 (1999a).

Kozodoy P., Smorchkova Y. P., Hansen M., Xing H., DenBaars S. P., Mishra U. K., Saxler A. W., Perrin R., and Mitchel W.C. "Polarization-enhanced Mg doping of AlGaN/GaN superiattices" Appl. Phys. Lett.75, 2444 (1999b).

Kumakura К., Makimoto Т., and Kobayashi N. "Low resistance non-alloy ohmic contact to p-type GaN using Mg-doped InGaN contact layer" Phys. Stat. Sol. (a)188, 363 (2001).

Kumakura K., Makimoto Т., and Kobayashi N. "Ohmic contact to p-GaN using a strained InGaN contact layer and its thermal stability" Jpn. J. Appl. Phys. 42, 2254 (2003).

Lester S. D., Ponce F.A., Craford M. G., and Steigerwald D. A. "High dislocation densities in high efficiency GaN-based light-emitting diodes" Appl. Phys. Lett.66, 1249 (1995).

Li Y.-L., Schubert E. P., Graff J. W., Osinsky A., and Schaff W.F, "Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN" AppL Phys. Lett.76, 2728 (2000).

Matthews J. W. and Blakeslee A. E. "Defects in epitaxial multilayers — III. Preparation of almost perfect multilayers"/. Cryst Growth32, 265 (1976).

McCluskey M.D., Johnson N.M., Van de Walle C.G., Bour D.P., Kneissl M., and Walukiewicz W. "Metastability of oxygen donors in AlGaN"P/zr/s. Rev. Lett.80, 4008 (1998).

Morita D., Yamamoto M., Akaishi K., Matoba K., Yasutomo K., Kasai Y., Sano M., Nagahama S.-L, and Mukai T. "Watt-class high-output-power 365 nm ultraviolet light-emitting diodes" Jpn. J. Appl Phys.43, 5945 (2004).

Mukai Т., Morita D., and Nakamura S. "High-power UV GalnN/AlGaN double- heterostructure LEDs" J. Cryst Growth189, 778 (1998).

Nakamura S., Senoh M., and Mukai T. "Highly p-type Mg doped GaN films grown with GaN buffer layers" Jpn. J. Appl Phys.30,L1708 (1991).

Nakamura S., Mukai Т., Senoh M., and Iwasa N. "Thermal annealing effects on p-type Mg-doped GaN films" Jpn. J. Appl Phys.31,L139 (1992).

Nakamura S., Senoh M., and Mukai T. "P-GaN/N-InGaN/N-InGaN double heterostructure blue-light-emitting diodes" Jpn. J. AppL Phys.32,L8 (1993a).

Nakamura S., Senoh M., and Mukai T. "High-power InGaN/GaN double- heterostructure violet light emitting diodes" AppL Phys. Lett.62, 2390 (1993b).

Nakamura S. "Growth of InGaN compound semiconductors and high-power InGaN/AlGaN double heterostructure violet-light-emitting diode" Microelec- tron. J.25, 651 (1994).

Nakamura S. and Fasol G. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997). Авторы обсуждают эффекты локализации носителей на с. 305 этой книги, а начальные стадии эпитаксиального роста на с. 13.

Narukawa Y., Kawakami Y, Fujita S., Fujita S., and Nakamura S. "Recombination dynamics of localized excitons in Ino,2oGao,8oN — Ino.osGao.gsN multiple quantum wells" Phys. Rev.В 55,R 1938 0997’a).

Narukawa Y., Kawakami Y, Funato M., Fujita S., Fujita S., and Nakamura S. "Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm" AppL Phys. Lett.70, 981 (1997b).

Oder T.N., Kim K.H., Lin J.Y., and Jiang H.X. "Ill-nitride blue and ultraviolet photonic crystal light emitting diodes" Appl Phys. Lett.84, 466 (2004).

Razeghi M. and Henini M. "Optoelectronic devices: Ill-nitrides" (Elsevier, Amsterdam, 2004).

Rosner S.J., Carr E.G., Ludowise M.J., Girolami G., and Eril<son H.L "Correlation of catliodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metal-organic chemical-vapor deposition" Appl. Phys. Lett.70, 420 (1997).

Schubert E. F., Grieshaber W., and Goepfert I. D. "Enhancement of deep acceptor activation in semiconductors by superlattice doping" Appl. Phys. Lett.69, 3737 (1996).

Shakya J., Kim K.H., Lin J.Y., and Jiang H.X. "Enhanced light extraction in Ill-nitride ultraviolet photonic crystal light-emitting diodes" Appl. Phys. Lett. 85, 142 (2004).

Siozade L., Leymarie J., Disseix P., Vasson A., Mihailovic M., Grandjean N., Ler- oux M., and Massies J. "Modelling of thermally detected optical absorption and luminescence of (In,Ga)N/GaN heterostructures" Solid State Commun. 115, 575 (2000).

Smeeton T.M., Kappers M.J., Barnard J.S., Vickers M.E., and Humphreys C.J. "Electron-beam-induced strain within InGaN quantum wells: False indium "cluster" detection in the transmission electron microscope" Appl. Phys. Lett. 83, 5419 (2003).

Su Y. K., personal communication at the Second Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS), Hsinchu, Taiwan, March 7-9 (2005).

Walukiewicz W., Li S. X., Wu J., Yu K. M., Ager III J. W., Haller E. E., Lu K., and Schaff W.J. "Optical properties and electronic structure of InN and In-rich group Ill-nitride alloys" J. Cryst. Growth269, 119 (2004).

Wetzel C., Amano H., Akasaki I., Ager III J. W., Grzegory I., and Meyer B.K. "DX-like behavior of oxygen in GaN" Physica B302-303,23 (2001).

Wu J., Walukiewicz W., Yu K. M., Ager J. W., Haller E. E., Lu H., and Schaff W. J. "Small band gap bowing in Ini-^jGa^N alloys" Appl. Phys. Lett.80, 4741 (2002).

Wu J, Walukievicz W., Yu K.M., Ager III J.W„ Li S.X., Haller E.E., Lu H., and Schaff W. J. "Universal bandgap bowing in group-Ill nitride alloys" Solid State Commun.127, 411 (2003).

Yasan A., McClintock R., Mayes K., Darvish S.R., Kung P., and Razeghi M. "Top-emission ultraviolet light-emitting diodes with peak emission at 280 nm" Appl. Phys. Lett.81, 801 (2002).

Yun F., Reshchikov M.A., He L., King Т., Morko? H., Novak S.W., and Wei L. "Energy band bowing parameter in Al^Gai-^N alloys" J. Appl. Phys.92, 4837 (2002).

Zhang J.P., Chitnis A., Adivarahan V., Wu S., Mandavilli V., Pachipulusu R., Shatalov M., Simin G., Yang J. W., and Khan M. A. "Milliwatt power deep, ultraviolet light-emitting diodes over sapphire with emission at 278 nm" Appl. Phys. Lett.81, 4910 (2002a).

Zhang J.P., Wang H.M., Gaevski M.E., Chen C.Q., Fareed Q., Yang J.W., Simin G., and Khan M. A. "Crack-free thick AlGaN grown on sapphire using AIN/AlGaN superiattices for strain management" Appl. Phys. Lett.80, 3542 (2002b).

Zhang J. P., Wu S., Rai S., Mandavilli V., Adivarahan V., Chitnis A., Shatalov M., and Khan M. A. "AlGaN multiple-quantum-well-based deep ultraviolet light- emitting diodes with significantly reduced long-wave emission" Appl. Phys. Lett.83, 3456 (2003).

Дополнение редактора

1.  Давыдов В. Ю., Смирнов А. Н., Гончарук И. Н., Кютт Р. Н., Байдакова М.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е. / V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.V. Baidakova, V. V. Lundin, E.E. Zavarin// BandgapofhexagonalInNandInGaNalloys. 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. Proc. SPIE. Vol. 5023. № 1. R 146-149.

2.  ДавыдовВ. Ю., СмирновА. Н., ГончарукИ. Н., КюттР. Н., БайдаковаМ.В., ЛундинВ.В., ЗаваринЕ.Е. / Davydov B.Yu., Smirnov A.N., Goncharuk I.N., Kyutt R.N., Baidakova M.V, Lundin V.V., Zavarin E.E. // Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys. Phys. Stat. Sol. (b). 2002. Vol.234, №3, R 975-979.

3.  Шретер Ю. Г., Ребане Ю.Т., Зыков В. А., Сидоров В. Г. Широкозонные полупроводники. — Спб.: Наука, 2001. — 125 с.

4.   Сапарин Г. В., Обыден С. К., Четверикова И. Ф., Чукичев М. В. // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика и астрономия. 1983. Т. 24, №3. С. 56-59.

5.  Перловский Г. В., Обыден С. К., Сапарин Г. В., Попов С. И. Температурная релаксация катодолюминесценции, стимулированной электронным пучком в GaN:Zn// Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика и астрономия. 1984. Т. 25, №3. С. 21-26.

6.  Mymrin V.F., Bulashevich К.А., Podolskaya К.А., Zhmakin LA., Kar- pov S.Yu., Makarov Yu.N. // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. V.2, №7, P. 2928-2931.

7.  Евстратов И. Ю., Мымрин В. Ф., Карпов С. Ю. 4-я Всеросс. Конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»: тез. докл. С. 122.

8.  Asif Khan. Ala;Gai_j;N based deep ultraviolet emitters and detectors // MRS 2006 Fall Meeting, Symposium I: abstr.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты