Активация примесей в нитридах III группы

September 2, 2011 by admin Комментировать »

При работе с материалами на основе нитридов III группы возникают дополнительные трудности, вызванные необходимостью активации примесей, что связано с двумя особенностями таких полупроводников.

—   В рассматриваемых материалах происходит химическая компенсация акцепторов за счет присоединения к ним атомов водорода. Отрицательный заряд ионизированных акцепторов компенсируется положительно заряженными ионами водорода, в избытке присутствующими при эпитаксиальном выращивании. Другими возможными источниками водорода являются метиловые (-СНз) и этиловые (-С2Н5) группы металлоорганических соединений, аммиак (NH3)и водород из газа-носителя Н2.

—   Акцепторы в нитридах III группы обладают высокой энергией тепловой активации, намного превышающей кТ при температуре 300 К. В результате только небольшая доля акцепторов ионизируется при комнатной температуре.

Упражнение. Активация акцепторов магния в GaN

Энергия ионизации акцепторов магния в GaNЕа = 200 мэВ. а. Требуется определить, какая доля акцепторов окажется ионизированной при температуре 300 К, если концентрация акцепторов составляет NiAg= Ю’® см~^. В расчете следует использовать формулу

Рис. 13.6. Специфические проблемы, связанные с примесями р-типа в GaN,

и пути их решения

 

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты