Двойные гетероструктуры процессы в переходе

September 15, 2011 by admin Комментировать »

Практически все современные светодиоды изготавливают на основе двойных гетероструктур. Такие структуры состоят из двух пассивных барьерных слоев и одного активного слоя. На рис. 9.2 представлена зонная диаграмма двойной гетероструктуры. Ширина запрещенной зоны активного слоя всегда меньше ширины запрещенной зоны барьерных слоев. В результате этого пассивные области прозрачны для излучения, исходящего из активной области. Поскольку пассивные слои.

Рис. 9.2. Двойная гетероструктура с оптически прозрачными барьерными слоями. Из-за высокой концентрации носителей в активной области, являющейся причиной смещения края фундаментального поглощения (эффект Бурщтей- на-Мосса), перепоглощение излучения в активной области светодиода маловероятно

 

как правило, имеют сравнительно небольшую толщину, их практически всегда можно считать абсолютно прозрачными.

Перепоглощением света в активной области в месте инжекции носителей тока, расположенной под верхним контактом, можно также пренебречь. Поскольку ток носителей в активную область, как правило, имеет большую плотность, квазиуровни Ферми для электронов и дырок поднимаются к краям соответствующих зон, что и показывает рис. 9.2. Поэтому при больших значениях инжекционного тока активная область прозрачна для излучения с энергией, близкой к ширине запрещенной зоны.

Однако следует отметить, что равновесное состояние в активной области достигается в местах достаточно удаленных от места инжекции тока. Именно в этих участках возможно поглощение излучения, генерируемого здесь же в активной области. Для компенсации оптических потерь из-за перепоглощения излучения внутри активной области эти места должны обладать как можно более высоким внутренним квантовым выходом излучения.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты