Измерение температуры перехода по прямому напряжению

September 1, 2011 by admin Комментировать »

Эта процедура также состоит из двух этапов: калибровочного измерения прямого напряжения на диоде Vfв импульсном режиме и измерения этого напряжения в режиме постоянного тока. Рис. 6.6 иллюстрирует алгоритм данного метода. На этапе калибровочных измерений исследуемый светодиод помещается в термостат с регулятором, поэтому температуры диода и перехода всегда известны. Температура в термостате изменяется в заданном диапазоне значений, обычно 20-120 °С. В ходе калибровочных измерений на диод подается импульсный ток с высокой скважностью 1000), что необходимо для исключения внутреннего разогрева светодиода из-за инжекционного тока. Прямое напряжение измеряется в заданном температурном интервале для разных значений тока. Из калибровочных измерений определяется зависимость между прямым напряжением и температурой р-п-перехода в заданном интервале токов If0.

Этап измерений проводится при комнатной температуре в режиме постоянного тока, изменяющегося в заданном интервале значений. Прямое напряжение измеряется в моменты стабилизации температуры. На основе полученных и калиброванных данных находят значения температуры р-п-перехода для разных значений тока. На рис. 6.7 представлены результаты двух этапов измерений для УФ-светодиода AlGaN (Xietal., 2005).

Рис. 6.6. Этапы калибровки в импульсном режиме, в ходе которого определяется зависимость прямого напряжения на диоде Vfот температуры р-п-перехода Tj(а) и измерений, в ходе которого определяются температуры р-п-перехода для разных значений постоянного тока (б)

 

На рис. 6.8 показаны температуры р-п-переходов для нескольких типов светодиодов: красного свечения AlInGaP(λ = 625 нм), зеленого свечения InGaN(λ = 525 нм), голубого свечения InGaN(λ = 460 нм) и УФ-свечения InGaN(λ = 370 нм). Все светодиоды имеют одинаковые корпуса 5 мм (Chhajedetal., 2005). Погрешность метода определения температуры р-п-перехода по прямому напряжению составляет несколько градусов. Этот метод точнее, чем измерение температуры р-п-перехода по длине волны максимума в спектре излучения, поскольку последнему методу свойственна некоторая неопределенность при определении длины волны в максимуме, положение которого трудно найти корректно для уширенных спектральных линий. На рис. 6.8 также приведены температуры носителей, полученные по наклонам спектральных характеристик в области высоких энергий. На точность определения температур носителей также влияет уширение спектров многокомпонентных твердых растворов, которое несколько уменьшает наклон характеристик и приводит к завышению получаемых значений температуры.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты