Распределение носителей в р-n-гетеропереходах

September 14, 2011 by admin Комментировать »

 

Все современные светодиоды разрабатываются на основе гетеропереходов. Устройства на гетеропереходах состоят из полупроводников двух типов: с узкой запрещенной зоной для создания активной области и с широкой запрещенной зоной для формирования барьерных слоев. Если в состав структуры входят два барьерных слоя, она называется двойной гетероструктурой (часто используется сокращение ДГС или DH).

На рис. 4.8, в показано влияние гетеропереходов на распределение носителей. В двойных гетероструктурах барьерные слои ограничивают инжектированные носители в активной области. Поэтому величинаобласти рекомбинации определяется не диффузионной длиной, а толи^иной активного слоя.

Это очень существенное изменение. Предположим, что толщина активной области намного меньще типичной диффузионной длины. Значения диффузионных длин обычно лежат в диапазоне 1-20 мкм, а размеры активной области в двойных гетероструктурах составляют 0,01-1,0 мкм. Это означает, что концентрация носителей в активной области двойных гетероструктур намного превышает их концентрацию в гомогенных переходах, где носители распределены в интервале нескольких диффузионных длин. Из уравнения для скорости бимолекулярной излучательной рекомбинации

следует, что высокая концентрация носителей в активной области увеличивает скорость излучательной рекомбинации и снижает рекомби- национное время жизни. Поэтому все высокоэффективные светодиоды строятся на основе двойных гетероструктур или структур с квантовыми ямами.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты