Серии 504, К504

September 17, 2011 by admin Комментировать »

Микросхемы выполнены на полевых транзисторах. Предназначены для микроминиатюризации блоков электронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в круглом металлостеклянном корпусе типа 301.8-2.

504УН1 А, 504УН1Б, 504УН1В,

К504УН1А, К504УН1Б, К504УН1В, 504УН2А,

504УН2Б, 504УН2В, К504УН2А, К504УН2Б, К504УН2В

Малошумящие усилители низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Могут использоваться для селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты й т. д.

1              При номинальном напряжении источника питания —12 В и температуре 25±10°С.

2               Для 504УН1А, 504УН 1 Б, 504УН1В, К504УН1А, К504УН1Б, К504УН1В.

3               Для 504УН2А, 504УН2Б, 504УН2В.

1 Для К504УН2А, К504УН2Б, К504УН2В.

 

В случае применения микросхем 504УН1, 504УН2, К504УН1 и К504УН2 при закорачивании выводов 5 и 1 внутренний резистор сопротивлением 0,3…4 МОм может служить сопротивлением утечки затвора входного транзистора ИМС. Если внутренний резистор не используется, выводы 5 и 7 необходимо закоротить. Транзисторы микросхем сохраняют усилительные свойства до частот 1…2 МГц.

Рис. 178. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 504УН1, К504УН1, 504УН2, К504УН2

 

504НТ1 А, 504НТ1Б, 504НТ1В,

К504НТ1А, К504НТ1Б, К504НТ1В, 504НТ2А,

504НТ2Б, 504НТ2В, К504НТ2А, К504НТ2Б, К504НТ2В

Рис. 179. Пары полевых транзисторов ИМС 504НТ1, К.504НТ1, 504НТ2, К504НТ2 (а) и их стоковые (б) и сток-затворные (в) характеристики

Слаботочные согласованные пары полевых транзисторов. Предназначены для использования во входных каскадах усилителей постоянного тока, дифференциальных и операционных усилителях, коммутаторах и других устройствах с целью повышения входного сопротивления, создания температурной и временной стабильности, снижения шумов.

1 При температуре 25+10 °С. 8 Для 504НТ2А, 504НТ2Б, 504НТ2В. 3 Для К504НТ2А, К504НТ2Б, К504НТ2В.

 

504НТЗА, 504НТЗБ, 504НТЗВ,

К504НТЗА, К504НТЗБ, К504НТЗВ, 504НТ4А,

504НТ4Б, 504НТ4В, К504НТ4А, К504НТ4Б, К504НТ4В

Сильноточные согласованные пары полевых транзисторов. Предназначены для использования во входных каскадах усилителей постоянного тока, дифференциальных и операционных усилителях, коммутаторах и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Рис. 180. Пары полевых транзисторов ИМС 504НТЗ, К504НТЗ, 504НТ4, К504НТ4 (а) и их стоковые (б) и сток-затворные (в) характеристики

 

 

 

1 При температуре 25+10 °С. 8 Для К504НТЗА, К504НТЗБ, К504НТЗВ. 8 Для К504НТ4А, К504НТ4Б, К504НТ4В.

 

Оставить комментарий

Устройство витков выходе генератора импульсов микросхемы мощности нагрузки напряжение напряжения питания приемника пример провода работы радоэлектроника сигнал сигнала сигналов сопротивление схема теория транзистора транзисторов управления усиления усилитель усилителя устройства частоты