Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN

September 10, 2011 by admin Комментировать »

На рис. 13.2 показана зависимость ширины запрещенной зоны от постоянной решетки для твердых растворов AlInGaN. Данные твердые растворы используются для светодиодов, работающих в широком диапазоне длин волн, охватывающем следующие спектральные области: далекого и ближнего УФ-излучения, видимого света и даже ближнего инфракрасного излучения. Было показано, что можно получить три вида бинарных полупроводниковых соединений: InN, GaNи A1N, при этом GaN, выращенный методом эпитаксии, был более совершеным. Однако твердые растворы AlGaNс большой концентрацией алюминия и InGaNс большой концентрацией индия, обладающие высоким внутренним квантовым выходом излучения, получить на практике очень сложно.

Существуют различные данные о ширине запрещенной зоны 4nN. Первоначально считалось, что она приблизительно равна 1,9 эВ. Позднее обнаружилось, что ее величина должна быть гораздо меньше — около 0,77 эВ 0.

Изогнутые линии, характеризующие зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников от их химического состава, показанные на рис. 13.2, можно описать уравнением из трех членов: константы, линейного члена, пропорционального х, и нелинейного члена, пропорционального

Рис. 13.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от постоянной решетки для полупроводников на основе нитридов III группы. Параметры изгиба взяты из работ (Siozadeetal., 2000; Ytinetal, 2002; Wuetal., 2003)

 

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты