Структуры с поперечной инжекцией носителей тока

September 4, 2011 by admin Комментировать »

На рис. 8.11, а показана структура светодиода с поперечной инжекцией носителей тока. В таких диодах ток течет через барьерные слои обоих типов в горизонтальном направлении. В идеальном случае излучение в светодиодах будет возбуждаться только в областях между контактами, которые при этом не будут мешать выводу света. Если сопротивление слоя гг-типа /?„/<„ и — удельное сопротивление и толщина слоя п-типа) намного меньше сопротивления слоя р-типа Pp/tp, ток пойдет скорее через п-слой, чем через р-слой. В результате этого под контактом р-типа будет наблюдаться более высокая плотность тока в направлении р-п-перехода.

На рис. 8.11,6 показана эквивалентная схема, полезная для количественного анализа светодиодов с поперечной инжекцией носителей тока. В этой схеме предполагается, что по краю контакта р-типа плотность тока через р-п-переход равна J(0). Аналитическое решение, полученное в соответствие с данной эквивалентной схемой и показанное на рис. 8.12, имеет следующий вид (Joyce, Wemple, 1970; Rattier

 

где

 

Здесь J(x= 0) = J(0) — плотность тока по краю контакта. Показано (Rattieretal., 2002), что К — напряжение активации, величина которого составляет несколько кТ/е, например 50-75 мВ.

Для обеспечения равномерного возбуждения излучения в зазоре между контактами желательно иметь большую длину спада экспоненты Lg. Этого можно добиться либо высокой степенью легирования барьерных слоев, либо увеличением их толщины. Существует тенденция увеличивать размеры светодиодов для достижения большой мощности излучения . Однако увеличение расстояния между контактами Х,если не используются очень толстые барьерные слои (что может быть весьма

Рис. 8.12. Распределение плотности тока при высоком, среднем и низком значениях тока, нормированных на начальную плотность тока, в светодиодах с поперечной инжекцией носителей тока. Предполагается, что сопротивление слоя п-типа намного меньше сопротивления слоя р-типа

 

непрактичным), ведет к росту сопротивления светодиодов. Поэтому повышать интенсивность излучения лучше не увеличением размеров структуры, а с помощью диодных матриц.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты