Теоретическое обоснование зависимости прямого напряжения светодиода от температуры

September 13, 2011 by admin Комментировать »

Вывод теоретической зависимости прямого напряжения светодиода от температуры, приведенный в этом разделе, базируется на материалах книги (Xietal., 2004, 2005). Вольтамперная характеристика идеального р-n-перехода определяется уравнением Шокли

где Js— плотность тока насыщения. Для невырожденных полупроводников в режиме прямого смещения при Vf»kT/eсправедливо следующее соотношение:

 

Плотность тока насыщения зависит от значений коэффициентов диффузии и времени жизни электронов и дырок, эффективной плотности состояний на краях валентной зоны и зоны проводимости, а также от ширины запрещенной зоны. Следует отметить, что все перечисленные параметры зависят от температуры р-п-перехода. Температурная зависимость эффективной плотности состояний определяется выражением:

Рис. 6.5. Вольтамперные характеристики светодиода GaAsP/GaAs, излучающего свет в красной области видимого спектра, измеренные при 77 и 295 К. При 77 К пороговое напряжение равно 2,0 В, а при 295 К — 1,6 В

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты