Улучшенные структуры корпусов светодиодов

September 2, 2011 by admin Комментировать »

В работе Ли и др. (Leeetal., 2004) описаны корпуса светодиодов с градиентным изменением показателя преломления, состоящие из нескольких слоев материалов с разными показателями преломления. Слой с наибольшим показателем находится в непосредственном контакте с полупроводниковым кристаллом. Внешние слои корпуса обладают меньшими показателями. Корпуса с градиентным изменением показателя преломления обеспечивают более высокие коэффициенты оптического вывода излучения, чем с корпуса с постоянным показателем преломления.

Иногда в состав материалов для изготовления корпусов светодиодов вводят специальные минеральные добавки, заставляющие свет отражаться, преломляться и рассеиваться, что делает диаграмму направленности излучения круговой и изотропной. В многоцветных свето- излучающих устройствах (например в многокристальных светодиодах белого свечения) такие добавки позволяют получать равномерное распределение цвета. В качестве минеральных добавок, как правило, используются оптически прозрачные вещества — ТЮг, СаРг, ЗЮг, СаСОз и BaS04, показатели преломления которых отличаются от показателя материала корпуса (Reehetal., 2003).

В работе (Lesteretal., 1998) предложено вводить в материалы для корпусов светодиодов наночастицы, имеющие высокий показатель преломления, например оксидов магния, титана, иттрия, циркония, алюминия, GaN, A1N, ZnO, ZnSe. Наночастицы, встроенные в исходный материал (как правило, полимер), не вызывают рассеяния света, если они распределены равномерно и их размер намного меньше длины волны излучения. Показатель преломления материала с введенными наночастицами определяется следующим выражением:

где T4ostи Капо — объемы исходного материала и наночастиц. При большой концентрации наночастиц показатель преломления материала со встроенными наночастицами может намного превышать показатель исходного материала, что увеличивает выходной конус излучения светодиода и повышает его коэффициент оптического вывода.

Библиографическийсписок

Arik М., Petroski J., and Weaver S. "Thermal challenges in the future generation solid state Hghting applications: light emitting diodes" Eighth Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (Cat. No.02CH37258) May 30-June 1 2002, p. 113 (IEEE, Piscat- away NJ, 2002).

Barton D.L., Osinski M., Periin P., Helms C.J., and Berg N.H. "Life tests and failure mechanisms of GaN/AlGaN/InGaN light-emitting diodes" Proc. SPIE 3279, 17 (1998).

Cho J., Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon, Korea, частноесообщение (2005).

Crivello J. v., Rensselaer Polytechnic Institute, частноесообщение (2004).

Flick E. W. Epoxy Resins, Curing Agents, Compounds, and Modifiers: An Industrial Guide (Noyes Data Corporation/Noyes Publications, Park Ridge NJ, 1993).

Gorczyk J., Bogdal D., Pielichowski J., and Penczek P. "Synthesis of high molecular weight epoxy resins under microwave irradiation" Fifth International Electronic Conference on Synthetic Organic Chemistry (ECSOC-5), http://www.mdpi.org/ecsoc-5.htm, lt30 (September 2001).

Krames M. R., Steigerwald D. A., Kish Jr. F. A., Rajkomar P., Wierer Jr. J. J., and Tan T. S. "Ill-nitride light-emitting device with increased light generating capability" US Patent 6,486,499 B1 (2002).

Krames M. R. "Overview of current status and recent progress of LED technology" US Department of Energy Workshop "Solid State Lighting — Illuminating the Challenges" Crystal City, VA, Nov 13-14, 2003.

Kumar R. N., Keem L. Y., Mang N. C., and Abubakar A. "Ultraviolet radiation curable epoxy resin encapsuiant for light-emiting diodes" 4th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD) (2001).

LED Museum, http://ledmuseum.home.att.net/agilent.htm(2003).

Lee B. K., Goh K. S., Chin Y. L., and Tan C. W. "Light emitting diode with gradient index layering" US Patent 6,717,362 B1 (2004).

Lester S.D., Miller J.N., and Roitman D.B. "High refractive index package material and light emitting device encapsulated with such material" US Patent 5,777,433 (1998).

Lumileds Corporation Luxeon reliability Application Brief AB25,11 (2004).

Reeh U., Hohn K., Stath N., Waitl G., Schlotter P., Schneider J., and Schmidt R. "Light-radiating semiconductor component with luminescence conversion element" US Patent 6,576,930 B2 (2003).

Sheu J.-K. "Group III-V element-based LED having ESD protection capacity" US Patent 6,593,597 B2 (2003).

steigerwald D.A., Bhat J. С., Collins D., Fletcher R.M., Holcomb M.O., Lu- dowise M.J., Martin P.S., and Rudaz S.L. "Illumination with solid state lighting technology" IEEE I. Sel Top. Quantum Electron.8, 310 (2002).

Voldman S. H. ESD: Physics and Devices (John Wiley and Sons, New York, 2004).

Wen Т.е., Chang S.J., Lee C.T., Lai W.C., and Sheu J.K. "Nitride-based LEDs with modulation-doped AlGaN-GaN superlattice structures" IEEE Trans. ElectronDev.51, 1743 (2004).

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты