Модель Ван Росбрука-Шокли

October 20, 2011 by admin Комментировать »

позволяет оценить скорость спонтанной излучательной рекомбинации в равновесных и неравновесных условиях. Для этого необходимо знать основные характеристики полупроводника, определяемые стандартными экспериментальными методами: ширину запрещенной зоны, коэффициент поглощения и показатель преломления.

Рассмотрим полупроводник, коэффициент поглощения которого α(v) определяется в единицах см-1. На рис. 3.1 показан фотон с частотой и, появившийся в процессе рекомбинации пары электрон-дырка, который был поглощен, пролетев расстояние

Все описанные способы позволяют получать приблизительно одинаковые значения коэффициентов В. Например, для GaAsкоэффициенты В, рассчитанные для температуры 300 К по формулам (3.21) и (3.23)-(3.25), приблизительно равны 10-10см3

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты