Серии 159, К159

October 5, 2011 by admin Комментировать »

Микросхемы предназначены для балансных схем и других устройств радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2.

159НТ1 А, 159НТ1Б, 159НТ1В,

159HTS Г, 159НТ1Д, 159HT1F., 159НТ1Ж, К159НТ1А, К159НТ1Б, К159НТ1В, К159НТ1Г, К159НТ1Д, К159НТ1Е

Микросхемы представляют собой пары транзисторов структуры типа п-р-п

 

1                 При UKB = 5 В; / «=■ 50 Гц; fH 2 мо; /э — 1 мА (для ИМС К159НТ1В, Е 1Э 50. мкА).

2                  При Укб = 5 В; /.=.50 Гц; *и = 2 мс; /э = 1 мА (для ИМС 159НТ1В, К159НТ1В, 159НТ1Е, К159НТ1Е /э . 50 мкА).

8 При UKB – 5 В; /э = 1 мА.

Рис. 123. Принципиальная схема (а) и типовые входные характеристики транзисторов ИМС 159НТ1, К159НТ1 в схеме с общим эмиттером в обычном режиме (б) и микрорежиме (в)

 

Рис. 124. Типовые выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером для ИМС 159НТ1, К159НТ1

 

Значения остальных параметров транзисторных структур приведены ниже.

1               Ток утечки между транзисторами.

2               При температуре —60… + 125 °С для транзисторов 159НТ1А…Жи при —60…+100 °С для К159НТ1 А…Е.

 

Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 + 10 °С.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты