ТЕМПЕРАТУРАp-n -ПЕРЕХОДА И ТЕМПЕРАТУРА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА

October 16, 2011 by admin Комментировать »

Температура р-п-перехода, соответствующая температуре активной области кристаллической рещетки, является важным параметром светодиодов. Важность этой характеристики объясняется следующими причинами. Во-первых, от температуры р-n-перехода зависит внутренний квантовый выход излучения диода. Во-вторых, работа в режиме высоких температур значительно сокращает время жизни устройства. В-третьих, высокая температура внутри светодиода может явиться причиной разрушения его корпуса. Именно поэтому всегда желательно знать зависимость температуры перехода от протекающего тока.

Местами выделения тепла внутри светодиода являются контакты, внешние слои и активная область. При низких значениях тока нагревом контактов и внешних слоев можно пренебречь из-за незначительного количества джоулева тепла, выделяемого на их паразитных сопротивлениях(I2R).Поэтому при малых токах основным тепловым источником является активная область, нагрев которой происходит в результате безызлучательной рекомбинации. При повышении тока вклад паразитных сопротивлений контактов и внешних слоев в повышение температуры внутри диода возрастает и может даже стать главным,

Существует несколько способов определения температуры переходов:

•    Рамановская спектроскопия (Todorokietal., 1985);

•    измерение порогового напряжения (Abdelkaderetal., 1992);

•    измерение теплового сопротивления (Murata, Nakada, 1992);

•    измерение коэффициента отражения методом фототермической микроскопии (Epperlein, 1990);

•    определение температуры по спектрам электролюминесценции (Epperlein, Bona; 1993);

•    определение температуры по спектрам фотолюминесценции (Halletal, 1992);

•    бесконтактный метод, основанный на измерении отношения пиков излучения двухцветных источников света (Gu, Narendan, 2003). Большинство перечисленных методов косвенные, в них температура

перехода определяется по легко измеряемым параметрам. В этой главе будут рассмотрены два способа нахождения температуры переходов: по

смещению длины волны пика излучения и по сдвигу прямого напряжения при изменении температуры. Также будет обсуждаться вопрос о температуре носителей, которая может быть определена из наклона спектральной характеристики излучения в области высоких энергий.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты