Безызлучательная рекомбинация

November 1, 2011 by admin Комментировать »

Очень важно, чтобы для формирования активной области использовались высококачественные материалы, в которых мало точечных дефектов, нежелательных примесей, дислокаций и прочих дефектов, способных привести к созданию глубоких примесных уровней.

Поверхностную рекомбинацию следует удерживать на минимально возможном уровне. Для этого все свободные поверхности должны быть удалены от областей накопления электронов и дырок, т. е. от активной области, на расстояние нескольких диффузионных длин.

Мезаструктурные светодиоды и лазеры, в которых вытравленные мезаструктуры открывают доступ воздуха к активным областям, из-за поверхностной рекомбинации обычно обладают низким внутренним квантовым выходом излучения. К тому же поверхностная рекомбинация снижает срок службы светодиодов, поскольку ведет к нагреву поверхности полупроводника, что может вызывать появление структурных дефектов, например темных полос, которые значительно снижают квантовый выход излучения светодиодов.

На рис. 7.11 представлены временные зависимости интенсивности излучения двух мезаструктурных и двух планарных светодиодов. Из них следует, что

1)    в начальный момент времени t = 0 интенсивность излучения мезаструктурных светодиодов несколько ниже, чем у планарных светодиодов;

2)        срок службы мезаструктурных светодиодов намного ниже, чем у планарных.

В планарных устройствах рекомбинация электронно-дырочных пар происходит в области, расположенной под верхним металлическим контактом вдали от боковых поверхностей светодиодов. Поэтому в таких светодиодах не наблюдается снижения интенсивности излучения, связанного с поверхностной рекомбинацией.

Следует отметить, что в присутствии носителей одного типа, например вблизи верхнего контакта, наличие поверхностей не снижает квантовый выход излучения. Поверхности, расположенные в таких монополярных областях, не оказывают отрицательного влияния на процессы рекомбинации.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты