Конкуренция между излучательной и безызлучательной рекомбинацией

November 4, 2011 by admin Комментировать »

В предыдущих разделах было рассмотрено несколько механизмов безызлучательной рекомбинации: Шокли-Рида, Оже- и поверхностный. Безызлучательную рекомбинацию можно только уменьшить, но устранить полностью невозможно. Например, поверхностную рекомбинацию можно значительно снизить, пространственно отделяя активную область излучения от любых поверхностей. Однако даже при очень больших расстояниях между этой областью и ближайшей поверхностью некоторые носители за счет диффузии все же доберутся до поверхности и там рекомбинируют.

Как и от поверхностной рекомбинации, от безызлучательной рекомбинации в объеме и Оже-рекомбинации никогда не удается полностью избавиться. В любом полупроводниковом кристалле имеются естественные дефекты. Даже если их очень мало, их концентрация все-таки не равна нулю. Из термодинамических расчетов следует, что поскольку для создания в кристаллической решетке точечного дефекта требуется затратить энергию Еa, вероятность этого наконкретном узле решетки определяется постоянной Больцмана:

Внутренний квантовый выход равен отношению числа фотонов, испускаемых внутри полупроводникового материала, к числу электронно- дырочных пар, участвующих в актах рекомбинации. Отметим, что из-за проблем, связанных с поглощением света, далеко не все испущенные фотоны покидают пределы полупроводника.

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты