Коллекторные характеристики

December 18, 2011 by admin Комментировать »

Способ измерения и результаты

С помощью измерительной схемы, приведенной на рис. 6.4, можно построить выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Резистором RVX устанавливается фиксированный ток базы 1В, который измеряется микроамперметром Mv Потенциометр RV2 используется для задания ряда значений напряжения коллектор—эмиттер Vcp измеряемых вольтметром Му Результирующий ток коллектора /с измеряется миллиамперметром Мг

Рис. 6.4. Измерительная схема для построения коллекторных характеристик биполярного транзистора.

Вид результирующей зависимости коллекторного тока от напряжения на коллекторе показан на рис. 6.5, а. Здесь легко видеть, что с увеличением напряжения коллектор—эмиттер от нуля вначале происходит резкое нарастание коллекторного тока — увеличивается эффективность коллектора, до тех пор, пока VCEut достигнет 0,6 В, после чего кривая становится горизонтальной. Дальнейшее увеличение VCE незначительно влияет на ток коллектора. Интересно отметить, что крутой изгиб кривой наблюдается при напряжении коллектор—база вблизи нуля, указывая на то, что эффективность коллектора оказывается почти максимальной, как только на переходе коллектор—база возникает хотя бы небольшое обратное смещение.

Нанося кривые для различных значений базового тока, можно получить семейство выходных характеристик транзистора. На рис. 6.5, б показаны полученные таким образом кривые, где, по существу, ясно видно постоянство коллекторного тока при изменении коллекторного напряжения в широких пределах. Незначительный подъем характеристик вызван небольшим увеличением коэффициента усиления тока при повышении коллекторного напряжения. Это имеет место вследствие расширения обедненного слоя коллектор—база, делающего область базы фактически более узкой, что при-

Рис. 6.6. Схема зарядного устройства для никель-кадмиевых аккумуляторов, в которой используется постоянство коллекторного тока транзистора. Максимальный ток 1 А.

графики обычно получают в импульсном режиме работы транзистора, так что Ртах превышается в течение времени, которого не достаточно, чтобы транзистор мог выйти из строя. Гипербола максимальной мощности особенно важна при расчете усилителя мощности.

Важен небольшой изгиб характеристик вверх по мере приближения к VCE = 30 В, поскольку он указывает на тенденцию к лавинному пробою в смещенном в обратном направлении -«-переходе коллектор—база; напряжением пробоя определяется максимально допустимое напряжение коллектор—эмиттер.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты