ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ)

December 27, 2011 by admin Комментировать »

Полупроводниковые триоды, так же как и диоды, разделяются на плоскостные (слоистые) и точечные.

Плоскостной полупроводниковый триод содержит в себе пластинку, вырезанную из монокристалла германия, состоящую из трех областей с разными типами проводимости. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, противоположным по отношению к средней. Так, если средняя область имеет дырочную проводимость, то обе крайние области обязательно обладают электронной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, сокращенно называются триодами р-п-р типа, а у которых средняя область обладает дырочной проводимостью, — триодами п-р-п типа. Физические процессы, происходящие в триодах п-р-п типа, аналогич: ны процессам, протекающим в триодах р-п-р типа.

Одна из возможных конструкций полупроводникового триода типа р-п-р приведена на рис. 61. К пластинке

Рис. 61. Конструкция плоскостного транзистора

] из полупроводникового материала, например германия, одного типа проводимости, в данном случае типа п, с двух сторон вплавлено по электроду 3 из полупроводника типа р, например индия.

Германиевая пластинка припаяна к кристаллодер- жателю 2, который закреплен в герметичном металлическом корпусе. От германиевой пластинки 1 и электродов сделаны выводы. Выводы от крайних электродов изолируются от корпуса транзистора с помощью стеклянных бусинок 5, а вывод германиевой пластинки приварен к корпусу транзистора, так как металлический кристаллодержатель 2 прикреплен прямо к корпусу транзистора.

В других конструкциях транзисторов ни один из выводов может не соединяться с корпусом или с корпусом может быть соединен другой электрод. Так, в мощных транзисторах типа П201 с корпусом соединен вывод коллектора. Составные части транзистора имеют специальные названия. Средняя пластинка 1 называется базой (или основанием) транзистора, меньший вплавленный электрод называется эмиттером, а больший — коллектором.

По своему назначению эмиттер транзистора можно считать подобным катоду, коллектор — аноду, а базу —

управляющей сетке трехэлек- тродной электронной лампы. Конечно, эта аналогия условная, так как пррцессы в транзисторах отличаются от процессов, происходящих при работе в радиолампах. Однако при использовании транзистора в радиотехнических схемах электроды транзистора выполняют те же функции, что и названные выше электроды радиоламп.

Чтобы транзистор мог усиливать или генерировать электрические колебания, на его электроды надо подать определенные напряжения от источника питания. Между выводами эмиттера и базой напряжение прикладывается в проводящем направлении, а между эмиттером и коллектором—в запорном. Необходимая для этого полярность источника питания показана на рис. 62.

Роль эмиттера сводится к введению в средний слой (область базы)- дырок. Эти дырки притягиваются коллектором, так как к коллектору приложено отрицательное напряжение. Движение дырок создает ток в цепи: батарея Еэ и переход база — коллектор транзистора. Чем больше положительное напряжение на эмиттере, тем больше вводится дырок и тем больше ток в цепи коллектора.

Поскольку коллектора достигают не все дырки, а часть их соединяется с электронами в области базы, то ток коллектора несколько меньше тока эмиттера. Отношение тока коллектора к току эмиттера называется коэффициентом усиления по току а. Этот коэффициент меньше единицы, и чем ближе он к единице, тем выше усилительные качества транзистора. По аналогии а электронными лампами эмиттер и база называются входными электродами, а коллектор — выходным.

В приведенной на рис. 62,а схеме база является общим электродом для входной и выходной цепи, поэтому эта схема называется схемой с общей (или, как иногда говорят, заземленной) базой. В этой схеме напряжение сигнала подается на эмиттер транзистора, а нагрузка включается в цепь коллектора. Это соответствует случаю подачи сигнала на катод для электронных ламп.

Однако почти всегда электронные лампы включают так, что напряжение сигнала подается не на катод, а на сетку. Транзистор также чаще всего включают так, что напряжение сигнала * подают на базу (рис. 62,6). Такая схема носит название схемы с общим эмиттером. Из рисунка видно, что ток в цепи базы, т. е. во входной цепи, равен разности токов эмиттера /э и коллектора /*. Так как ток эмиттера незначительно больше тока коллектора, то ток в цепи базы оказывается в десятки раз меньше тока в цепи эмиттера и коллектора. Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления по току в схеме с общим эмиттером и обозначается р. Коэффициент усиления Р лежит в пределах от 10—15 до 100—200. Чем больше р, тем большее усиление можно получить в каскаде усиления с транзистором.

Коэффициент р оказывается связанным с а простым соотношением:

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты