Эмиттерный повторитель в схемах источников питания

January 12, 2012 by admin Комментировать »

Рассмотрим схему на рис. 9.16. Как и прежде, потенциометр обеспечивает регулировку напряжения, но в то же время выходное сопротивление уменьшено благодаря собранному на транзисторе эмиттерному повторителю. Эффективность эмиттерного повторителя можно оценить экспериментально, снова подключая к выходу нагрузку 1 кОм и сравнивая падение напряжения с предыдущим случаем. Выходное сопротивление уменьшается на величину, равную коэффициенту усиления тока транзистора hFE. Нагрузкой в эмиттере транзистора является реальная нагрузка источника питания; выходное напряжение на нагрузке равно напряжению, приложенному к базе, минус падение напряжения между базой и эмиттером, равное примерно 0,6 В. С учетом положения в схеме источника питания транзистор эмиттерного повторителя иногда называют проходным транзистором.

Конечно, необходимо позаботиться о том, чтобы не были превышены ни максимально допустимый ток, ни максимально допустимая мощность транзистора в эмиттерном повторителе. В случае применения транзистора ВС 107 максимальный ток равен 300 мА, но более серьезным ограничением является максимальная рассеиваемая мощность, которая составляет только 360 мВт. Мощность, рассеиваемая в транзисторе, определяется как произ-

Рис. 9.16. Эмиттерный повторитель понижает выходное сопротивление потенциометра.

Рис. 9.17. Применение схемы Дарлингтона с мощным транзистором для получения большего выходного тока.

ведение тока нагрузки на падение напряжения на транзисторе. Например, используя обозначения, указанные на рис. 9.16, видим, что мощность, рассеиваемая транзистором, равна

Рис. 9.18. Регулируемый источник питания, работающий от сети (максимальный ток в нагрузке 2 А).

pa ВС107 и 30 для транзистора 2N3055). Тогда, согласно простому расчету, выходное сопротивление равно

Практически фактором, ограничивающим выходное сопротивление, является эмиттерное сопротивление выходного транзистора и внутреннее сопротивление батареи.

Мощный транзистор 2N3055 (аналог КТ819ГМ. — Примеч. перев.) может рассеивать около 3 Вт, но его допустимая рассеиваемая мощность значительно возрастает, когда этот транзистор размещен на теплоотводе (см. разд. 9.11). Чтобы получить регулируемый источник питания общего назначения для применений в экспериментах (рис. 9.18), напряжение на вход схемы, приведенной на рис. 9.17, можно подать от трансформатора, диодного моста и накапливающего конденсатора.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты