Проходные характеристики полевых транзисторов

January 4, 2012 by admin Комментировать »

Рис. 2.5. Типичные проходные характеристики л-канальных полевых транзисторов. Представлены зависимости тока стока ID от напряжения затвор—исток VGS для: а — полевого транзистора с /7-л-переходом; б — МОП-транзистора со встроенным каналом; в — МОП-транзистора с индуцируемым каналом.

Точно так же, как на рис. 1.15 мы строили зависимость коллекторного тока биполярного транзистора от тока в базе, мы можем графически изобразить проходные характеристики полевых транзисторов различного типа. В данном случае речь идет о зависимости тока стока от напряжения затвор—исток. На рис. 2.5 показаны три таких графика для «-канальных транзисторов; согласно каждой из этих кривых, ток стока уменьшается, по мере того как потенциал затвора становится все более отрицательным. На рис. 2.5, а представлена проходная характеристика полевого транзистора с />-л-переходом, который, естественно, работает в режиме обеднения. На рис. 2.5, а построена характеристика МОП-транзистора со встроенным каналом (с обеднением), показывающая, что этот транзистор может также работать в режиме обогащения. Кривая на рис. 2.5, в относится к «-канальному транзистору с индуцируемым каналом (с обогащением). Подобные характеристики можно построить и для /ьканальных транзисторов, за исключением того, что полярность напряжения затвор—исток должна быть противоположной.

Крутизна

Как можно судить о качестве полевого транзистора? В случае биполярного транзистора естественной характеристикой является коэффициент усиления тока, и его достоинство состоит в том, что он является простым безразмерным отношением токов. В случае полевого транзистора мы должны отразить тот факт, что ток стока ID управляется напряжением VGS между затвором и истоком. Таким образом, о способности транзистора усиливать нужно судить по величине отношения ID/VGS, которое, будучи отношением тока к напряжению, имеет размерность проводимости. Эта величина называется крутизной, обычно обозначается символами gm или yfs и находится как отношение приращения тока стока (ДID) к приращению напряжения затвор—исток     (см. рис. 2.5, а). Поэтому имеем:

Если ID измеряется в миллиамперах, a VGS — в вольтах, то величина gm выражается в милпимо или в милписименсах (мСм). Однако часто размерность указывается в мА/В; впрочем, используются также микросименсы (мкСм).

Таким образом, в случае, когда крутизна полевого транзистора равна 3 мСм, изменение напряжения затвор—исток на 1 В вызывает изменение тока стока на 3 мА.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты