Стоковые характеристики полевого транзистора

January 9, 2012 by admin Комментировать »

Для полевого транзистора с общим истоком семейство выходных характеристик — это зависимости тока стока от напряжения сток—исток при различных значениях напряжения затвор—исток. Схема измерения, приведенная на рис. 6.8, позволяет строить соответствующие графики. Требуемое напряжение затвор—исток VGC устанавливается потенциометром RV, и измеряется вольтметром Мх. Затем с помощью потенциометра RV2 задается ряд значений напряжения сток—исток VDC, измеряемых вольтметром М,; результирующий ток стока ID измеряется миллиамперметром Му Типичное семейство характеристик полевого транзистора показано на рис. 6.9.

Рис. 6.8. Измерительная схема для построения стоковых характеристик полевого транзистора.

 

Рис. 6.9. Типичные стоковые характеристики и-канального полевого транзистора: А — область переменного сопротивления; В — область насыщения.

Как видно из рис. 6.9, в общих чертах стоковые характеристики полевого транзистора похожи на коллекторные характеристики биполярного транзистора: тот и другой представляют собой источник фиксированного тока на большей части диапазона напряжений. Другими словами, если смещение затвор—исток фиксировано на уровне 1 В, то увеличение VDC от 5 до 15 В оказывает незначительное влияние на ток стока. Этот совсем не очевидный факт относится к области кривых справа от пунктирной линии; эту область называют областью насыщения.

Чтобы понять работу транзистора в этой области, нужно рассмотреть рис. 6.10, где схематически изображен полевой транзистор, к стоку и затвору которого подключены источники. Первоначально можно предположить, что VDC = 0 и напряжение на затворе VGC имеет такое значение, при котором обедненный слой занимает часть ширины кремниевого бруска, тогда как другая часть кристалла остается проводящим каналом между истоком и стоком. Когда VDC начинает расти от нуля, канал ведет себя сначала просто как резистор, сопротивление которого определяется шириной канала, оставленного в кристалле обедненным слоем. Когда VDC достигает нескольких сот милливольт, начинает сказываться обратное смещение на затворе и обедненный слой расширяется, в основном у положительного конца канала (у стока), до тех пор, пока не останется очень узкий проводящий канал. Дальнейшее увеличение VDC приводит к еще большему сужению канала, почти точно уравновешивающему ожидаемое увеличение ID с увеличением напряжения. (Это ошибка: с ростом V с увеличивается длина участка канала с предельной плотностью тока, остается неизменной напряженность электрического поля на этом участке и поэтому ток стока не меняется. — Примеч. перев.) Это — область предельного сжатия канала (насыщения); на рис. 6.9 явно виден выход из резистивной области, когда кривые изгибаются, становясь почти горизонтальными (ток становится постоянным). Так же как и в случае биполярного транзистора, имеется небольшой положительный на-

Рис. 6.10. Предельное сжатие канала в полевом транзисторе.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

1 комментарий

  1. Антон says:

    А где здесь источник питания?

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты