Тестирование транзисторов

January 31, 2012 by admin Комментировать »

В экспериментальной электронике полезно иметь простой метод тестирования транзисторов. Двумя параметрами, которые лучше всего указывают на исправность транзистора, являются ток утечки коллектор—эмиттер ICEQ и коэффициент усиления постоянного тока hFE. Оба они измеряются в схеме, приведенной на рис. 1.17. Когда ключ S разомкнут, ток базы не течет, и миллиамперметр в коллекторной цепи показывает ток утечки 1СЕ0. Когда ключ замкнут, базовый ток около 10 мкА течет через резистор R (около 0,6 В падает на переходе база—эмиттер, так что 1В = (9 — 0,6)/820 ООО = 10 мкА). Таким образом, усиленный ток в коллекторной цепи равен hFE/100 мА.

Чтобы упростить измерения, можно взять микроамперметр со шкалой 0—100 мкА и шунтом Rs, включаемым с помощью S’ при замыкании ключа S.

Таким образом, маленький ток утечки измеряется в диапазоне 100 мкА, затем прибор шунтируется так, чтобы его полная шкала соответствовала 10 мА для измерения hFE. Для тестирования р-n-/?-транзисторов полярность батареи и измерительного прибора изменяют на противоположные.

Рис. 1.17. Схема тестирования транзистора.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты