Ток утечки между коллектором и базой

January 28, 2012 by admin Комментировать »

Хотя переход коллектор—база смещен в обратном направлении, все же существует очень небольшой ток утечки из коллектора в базу, обозначаемый 1СВ0, поскольку он измеряется с разомкнутой цепью эмиттера. В кремниевом транзисторе при комнатной температуре /сдо очень мал, обычно менее 0,01 мкА. Однако в случае, когда транзистор включен в схему с общим эмиттером и цепь базы разорвана, как показано на рис. 1.14, а, ток 1СВ0, протекающий по переходу коллектор—база, должен течь в эмиттер, для которого он неотличим от внешнего тока базы. Таким образом, 1СВ0 усиливается транзистором, и ток утечки между коллектором и эмиттером возрастает до значения 1СЕ0 = hFEICB0, которое может доходить до 1 мкА. Поскольку ток 1СВ0 в значительной степени является результатом теплового нарушения связей, он увеличивается приблизительно вдвое с ростом температуры на каждые 18 °С. Когда ICBQ становится сравнимым с нормальным током коллекторной цепи, транзистор обычно считается слишком горячим. Кремниевые /?-и-переходы могут работать до 200 °С, а германиевые, имеющие много больший ток утечки, только до 85 °С.

Когда кремниевый транзистор работает при комнатной температуре, токами 1СВ0 и 1СЕ0 можно практически полностью пренебречь. В германиевом транзисторе при комнатной температуре (20 °С) ток 1СВ0 имеет значение порядка 2 мкА, так что при hFE = 100 ток ICEQ будет равен 200 мкА. Этот относительно большой ток утечки является той причиной, по которой германиевые транзисторы вышли из употребления, за исключением специальных целей, когда требуется малая разность потенциалов на германиевом /?-я-переходе, смещенном в прямом направлении.

Литература: М.Х.Джонс, Электроника — практический курс Москва: Техносфера, 2006. – 512с. ISBN 5-94836-086-5

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты