ОЦЕНКА ОБРАТИМЫХ ИЗМЕНЕНИЙ КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСОВ СВЧ МОЩНОСТИ

April 4, 2012 by admin Комментировать »

Баранов И. А., Климова А. В., Обрезан О. И., Пашковский А. Б. ФГУП НПП «Исток» 141190, Россия, Московская обл. г. Фрязино, Вокзальная 2а Тел.: (095) 4658620, e-mail: eugenegolant@mail.ru

Аннотация – Предложена простая методика по оценке изменения коэффициента шума транзистора в рабочем режиме под воздействием зондирующих импульсов СВЧ мощности на входе по изменению коэффициента усиления тока стока. На основании измерений проведены оценки для группы транзисторов. Продемонстрировано, что в некоторых случаях коэффициент шума транзистора под воздействием импульса допустимой входной мощности может увеличиваться более чем вдвое.

I. Введение

Усложнение электронной обстановки, в которой должны функционировать радиоэлектронные приборы обуславливает актуальность изучения вопросов стойкости входных каскадов приемных устройств к непреднамеренным и преднамеренным помехам. При воздействии импульсов СВЧ – мощности (Римп) на вход полевого транзистора критерии отказа могут устанавливаться на основе различных эффектов кратковременного воздействия зависящих от уровня Римп и характеристик транзистора. В данной работе рассмотрен один из них – снижение чувствительности приемника из-за обратимых изменением коэффициента шума транзистора.

II. Основная часть

Измерение с приемлемой точностью коэффициента шума современных полевых транзисторов (Fmin < 1,5 дБ на 15 ГГц) в условиях, когда на вход транзистора периодически попадает импульс большой мощности, вызывающий изменение рабочего режима даже на современном измерительном оборудовании представляется весьма проблематичным. В данной работе предлагается простая расчетная методика, позволяющая по данным измерений уход тока стока /(Римп) и коэффициента усиления /<УИМп) провести оценку обратимых изменений коэффициента шума Ртт(Римп). Для измерения характеристик /(Римп) и /<у(РИМп) использована установка, которая позволяет моделировать условия работы входных каскадов транзисторных усилителей при подаче импульсов высокого уровня СВЧ мощности с параметрами Римп – до 0,5 Вт, Тимп – до 0,1 мкс, f = 9,15 – 9,95 ГГц. При измерениях использовался импульсный режим с Тимп = 0,5 мкс и скважностью Q = 3, применяемый в некоторых входных РЭС.

По определению минимальный коэффициент шума Fmin транзистора (см. например[1,2]):

Рис. 3. Зависимость коэффициента шума на частоте 15 ГГц от мощности зондирующего импульса на входе(1 -ГГГШ№ 18,2-ПТШ№41,3-ПТШ№44, 4-ПТШ№45, 5-ПТШ№51, 6-ПГШ№49, 7-ГП~Ш№50, 8-ПТШ №9).

Fig. 3. Dependence of noise figure on input pulse power atf= 15 GHz

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты