ИЗМЕРЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В ОДНООСНЫХ И ДВУОСНЫХ КРИСТАЛЛАХ

May 1, 2012 by admin Комментировать »

Звягинцев А. А., Стрижаченко А. В., Иванов А. И., Чижов В. В. Харьковский национальный университет пл. Свободы, 4, Харьков – 61077 Тел.: (0572) 45-74-24, 45-73-19, факс: (38) 0572-437044 e-mail: Aleksander. V.Strizhachenko@univer.kharkov.ua

Как известно, диэлектрические потери 8* оказывают влияние только на компоненты электрического поля, причем в разных направлениях необходимо учитывать разные потери. Поэтому, для Н-колебаний п

учитывались потери 8 вдоль главного значения тензора диэлектрических проницаемостей Sz, а для колебаний Е-типа – вдоль главных значений 8 и £ .

X          у

Измеренные значения добротностей на разных типах колебаний позволяют определить диэлектрические потери в соответствующих направлениях. Как видно из графика (рис. 2), наличие анизотропии приводит к уменьшению добротности колебаний. Проведенный расчет позволяет дать рекомендации относительно плоскости, в которой необходимо вырезать диэлектрические образцы для получения максимальной добротности резонатора на заданном типе колебания.

III.  Заключение

В работе проведен электродинамический и численный анализ собственной добротности Н- и Е-колебаний волноводного разветвления с анизотропным кристаллом в зависимости от потерь в стенках волноводов, компонент тензора диэлектрических проницаемостей и диэлектрических потерь вдоль главных направлений в кристалле. Полученные результаты позволяют проводить измерения диэлектрических потерь вдоль главных направлений, а также давать рекомендации, как ориентировать кристаллический резонатор для получения оптимальных параметров резонаторных устройств, фильтрующих, антенных и т. д.

IV. Список литературы

[1]  Звягинцев А. А., Стрижаченко А. В., Чижов В. В. Резонансные явления в ортогональных волноводных разветвлениях с анизотропным заполнением.// Вюник ХДУ, Радюф1з. i елекр., №427, 1999, С. 126-131.

[2]  Звягинцев А., Стрижаченко А., Чижов В. Измерение тензора диэлектрической проницаемости, главных направлений и оптических осей в одноосных и двуосных кристаллах – 12 Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology”, 2002, Sevastopol, Ukraine, pp. 544-545.

[3]  Стрижаченко A. S., Звягинцев А. А., Чижов В. В. Определение главных направлений и оптических осей в одноосных и двуосных кристаллах.// Вестник ХНУ. Радиофизика и электроника, № 544, 2002, С. 112-116.

MEASUREMENTS OF DIELECTRIC LOSSES IN UNIAXIAL AND BIAXIAL CRYSTALS

Zvyagintsev A. A., Strizhachenko A. V.,

Ivanov A. I. ChizhovV. V.

Kharkov National University

4,      Svobody Sq., Kharkov – 61077, Ukraine Tel.: (0572) 45-74-24, 45-73-19, fax: (38) 0572-437044 e-mail: Aleksander. V.Strizhachenko@univer.kharkov.ua

Abstract – The presence of the material dielectric losses exerts an essential effect upon the radio engineering devices operation, the structure of which includes the dielectric samples. Especially this fact exerts under the utilization of the dielectric samples as high Q-factor resonators, filters, dielectric arrays and so on. The correct dielectric losses calculation allows reaching an optimum of the devices characteristics that will be created. Beside the majority of the high quality materials produced by industry are anisotropic crystals.

So, for their certification it is important to know not only integral losses (average volume of whole dielectric material), but the dependence of the dielectric losses upon the detachment of the crystal directions (upon the main directions, for example).

The electrodynamic and numerical Q-factor calculations of H- and E-modes of rectangular waveguide junction, filled by tetragonal uniaxial crystal and rhombic biaxial crystal, have been carried out in this work. The methods of the anisotropic substrate dielectric losses for non-destructive measurements along the main directions of the crystal dielectric permittivity tensor have been created.

The aim of this work is to calculate Q-factor of H110 and E110– modes of wave junction based on rectangular waveguides. During

ЛЕД

the calculation of the K2JQ (Fig. 1, 2) the losses in the walls of waveguides were taken into consideration, that form the junction (Rs -surface waveguide walls resistance, Rg -surface waveguide copper walls resistance) and dielectric losses s” (8 = s’ — iz" ) along main directions of crystal.

I.    Conclusions

The electrodynamic and numerical analysis of the H- and E-modes taking into account Q-factor dependence of the waveguide junction filled with an anisotropic crystal, losses in the waveguides walls, dielectric tensor components and dielectric losses along main directions of the crystal, have been carried out. Obtained results allow carrying out measurements of dielectric losses along the main directions and taking recommendations how to cut out the crystal resonator to obtain the optimum parameters of resonator devices, filters, antennas and so on.

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты