МОДЕЛЬ АКТИВНОГО ЛИНЕЙНОГО ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА, ЗАДАВАЕМАЯ МАТРИЦЕЙ S-ПАРАМЕТРОВ

June 12, 2012 by admin Комментировать »

В. В. Радченко ЗАО «Митех», 141120, г. Фрязино, Московской обл., ул. Вокзальная, 2а тел. (095) 465-86-95, e-mail:optimizer@yandex.ru

Puc. 7. S22 900 мкм ПТШ Fig. 7. S22 of 900 jum Schottky FET

IV.   Список литературы

[1]    .       Радченко В. В. Анализ и оптимизация характеристик активных и пассивных микрополосковых СВЧустройств на персональных ЭВМ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1995, вып. 2, с. 45-53.

[2]    .       Кищинский А. А., Надеждин Б. Б., Свистов Е. А., Шульга Н. В. Метод автоматизированного определения параметров линейной модели СВЧ полевого транзистора — В кн.: 13-я Международная Крымская конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2003). Материалы конференции [Севастополь, 8-12 сентября 2003 г.]. — Севастополь: Вебер, 2003. ISBN 966-7968-26-Х,

IEEE Cat. Number 03ЕХ697.

MODEL OF ACTIVE LINEAR NETWORKS, DEFINED BY S-PARAMETER MATRIX

V. V. Radchenko "Mitec" Com Ltd.

2a, Vokzalnaya St., Fryazino, 141120,

Moscow Region, Russia tel. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

Abstract— We offer completely symmetric model of an active linear quadripole, defined by S-matrix of an active element The model is intended for transistor structures description and makes it possible to define parasitic elements, which have been introduced into microwave circuit due to transistors assembling.

The linear model provides the good coincidence of calculated and experimental S-parameters in wide range of frequencies. The model can be used for design of broadband power microwave amplifiers on transistors.

Аннотация — Рассмотрены особенности экспериментального определения параметров адаптивной модели полевого транзистора с барьером Шоттки, применяемой в САПР MIC Optimizer и обеспечивающей точное совпадение расчетных и экспериментально измеренных вольтамперных и вольтфарадных характеристик транзистора.

I.  Введение

Адаптивная нелинейная модель полевого транзистора с барьером Шотки (ПТШ) [1] была разработана специально для системы компьютерного моделирования (СКМ) MIC Optimizer [2] с целью обеспечения точного моделирования вольтамперных (ВАХ) и вольтфарадных характеристик (ВФХ) отечественных ПТШ.

Модель обеспечивает при расчетах плавное вхождение ПТШ в отсечку, учитывает эффект пробоя барьеров Шотки при высоком напряжении исток-сток исток-затвор, зависимость тока насыщения от управляющего напряжения и некоторые другие эффекты. Модель является полностью симметричной (исток и сток в ней можно поменять местами) как по эквивалентной схеме, так и по виду задания нелинейных характеристик.

Нелинейная модель ПТШ включает в себя, как составную часть, линеаризованную модель приращений (параметры линейной эквивалентной схемы модели определяются для каждой рабочей точки в результате линеаризации исходной нелинейной эквивалентной схемы). Температурные эффекты в модели описываются зависимостями основных коэффициентов ВАХ и ВФХ от температуры с учетом индивидуального разогрева полупроводниковой структуры в соответствии с уравнениями тепловой релаксации.

II.  Теория

В адаптивной модели ПТШ (см. рис. 1) ток стока определяется суммой ток двух нелинейных управляемых источников тока 1Р и IR , работающих одновременно как в прямом, так и в инверсном режиме работы ПТШ.

Ток 1Р вычисляется по выражению

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 2003г.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты