С. 643-647.

June 28, 2012 by admin Комментировать »

[9]   Антипин В. В., Годовицын В. А., Гоомов Д. В., Кожевников А. С., Раваев А. А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника, № 1, 1995, с. 37-53.

[10]  Saito, М.; Опо, М.; Fujimoto, R.; Tanimoto, Н.; Ito, N.; Yoshitomi, Т.; Ohguro, Т.; Momose, H.S.; Iwai, H. 0.15|jm RF CMOS technology compatible with logic CMOS for low-voltage operation // Electron Devices, IEEE Transactions on , Volume: 45 Issue: 3 , Marth, 1998 Page(s): 737 -742

[11]  E. П. Таран, В. В. Старостенко, М. В. Глумова,

А.          В. Рукавишников. Динамика развития необратимых деградационных процессов в проводящих микроструктурах интегральных микросхем при воздействии импульсных электромагнитных полей // Весник Харьковского Национального университета. № 544, Вып.1., 2002.-с. 167-172.

[12]  Старостенко В. В., Малишевский С. В., Таран Е. П., Чурюмов Г. И. Поле в ближней зоне микросхемы при воздействии на нее электромагнитной волной в волноводе // Письма в журнал технической физики (ПЖТФ), 2003, Т. 29, Вып. 1. С.62-68.

INFLUENCE OF BONDING THICKNESS ON STABILITY OF INTEGRATED CIRCUITS AT EFFECT OF ELECTROMAGNETIC FIELDS

V. V. Starostenko, Ye. V. Grygoriev, Ye. P. Taran,

A. V. Rukavishnikov Tavrical National University

4      Yaltinskaya St., Simferopol 95007, Ukraine E-mail: taran(8).tnu. Crimea, ua

Abstract The technique of numerical calculation of stability integrated circuits is adduced depending on thickness (depth) of bonding at effect of pulse electromagnetic fields. The data on influencing depth of inhomogeneous bonding on threshold values of an electric field strength of a dropping electromagnetic wave are obtained.

I.  Introduction

Now in an electronic equipment the super-large-scale integrated circuits will be used, which one have all-level bonding. With allowance for of development of modern technologies the depth of bonding of microcircuits decreases on the order (up to

0,              18-0,13 microns). It results in necessity to investigate stability of integrated circuits at effect of pulse electromagnetic fields for microcircuits with depth of bonding the tenth lobes of micrometers. The purpose of activity is the detection influencing of depth of conductive building blocks on stability of microcircuits with usage of numerical mathematical model of effect of electromagnetic fields on integrated circuits.

II.    Mathematical model of development of degradation processes in conductive building blocks of integrated circuits ofthe sub-micrometers sizes at effect of electromagnetic fields

The model of effect of electromagnetic fields on integrated circuits with conductive building blocks of the sub-micrometers sizes is similar to model with depth of bonding in units of micrometers. The technique of calculation of stability of microcircuits depending on depth of bonding includes: 1. calculations of electromagnetic fields near to microcircuits; 2. definitions of an equivalent discharge circuit with allowance for orientations of microcircuits concerning a dropping electromagnetic wave; 3. solutions of a dynamic electrothermal problem; 4. definitions of time of a beginning of degradation processes and failure of microcircuits.

III.         Relation of stability of microcircuits to depth of bonding at effect of electromagnetic fields

It is ground of an offered technique and designed mathematical model, the relations of threshold values of an electric field strength of a dropping electromagnetic wave to pulse duration for different depth of homogeneous bonding (Fig.1) are obtained. The depth of bonding renders enough strong influencing on threshold values of tension of electromagnetic fields.

The relation of threshold field intensity to depth of bonding is obtained at effect of electromagnetic fields of identical pulse duration (Fig.2). The obtained relation is precisely described by a straight line. The slope of a curve determines decreasing threshold field intensity on the average it is 6,5 kV/m at thinning-down of bonding on 0,1 microns.

IV.  Conclusion

Numerical analysis of the influencing of bonding depth upon stability of microcircuits at effect of electromagnetic fields demonstrates that the considerable decrease of threshold values of field intensity with thinning-down of bonding is observed. Specially significant role it plays for integrated circuits with rather inhomogeneous frame of bonding.

Аннотация получены данные, позволяющие повысить эффективность обнаружения электронных нелинейных объектов, содержащих рп-переходы. Возможно применение синхронного детектирования в нелинейном радиолокаторе, что позволяет повысить эффективность обнаружения и идентификации нелинейных объектов.

I.  Введение

Нелинейная локация находит применение при поиске скрытых электронных схем. Эффект основан на обогащении спектра зондирующего сигнала. Эффективность такого преобразования мала. Необходимо вести приём слабых сигналов порядка долей, единиц микровольт в сложной обстановке электромагнитной совместимости. Повышение эффективности обнаружения нелинейных объектов достигается применением синхронного детектирования, выбора канала с малым уровнем помех.

II.  Основная часть

Работа всех полупроводниковых приборов, являющихся элементной базой радиои электроаппаратуры, обусловлена наличием рп переходов. Вольтамперная характеристика (ВАХ) рп перехода нелинейна. Поэтому спектры локационных зондирующих сигналов, попадающих на полупроводниковые элементы, при переизлучении обогащаются новыми спектральными составляющими. Этот процесс происходит независимо от состояния прибора работает он или нет. Эффективность такого преобразования мала, поэтому мощность гармоник зондирующего сигнала, переизлучённых в окружающее пространство во много раз меньше интенсивности зондирующего сигнала [1]. Для сигнала второй гармоники мощность Рг убывает обратно пропорционально расстоянию 1 /г6, с учётом прямого прохождения, переизлучения и обратного распространения,

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 2003г.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты