ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ МЕХАНИЗМОВ, ОГРАНИЧИВАЮЩИХ МАКСИМАЛЬНУЮ МОЩНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

July 28, 2012 by admin Комментировать »

Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В., Бувайлик Е. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г.Фрязино, Московская область, 141190, Россия Fax:(095) 9749013; e-mail: istkor@elnet.msk.ru


Аннотация Впервые показано, что предельная мощность полевого транзистора ограничена лавинноинжекционной неустойчивостью, а предельный КПД пробоем стоковой части БШ (барьера Шоттки) затвора.

I.  Введение

Несмотря на большие усилия, направленные на исследование работы ПТШ с БШ в критических условиях при протекании через него больших токов и при подаче больших напряжений, отсутствует ясное понимание физики происходящих при этом процессов. Расчет мощности полевых транзисторов с учетом особенностей полупроводниковой структуры возможен на основе численного моделирования. Численно решались уравнения квазигидродинамической модели с помощью абсолютно устойчивой разностной схемы, позволяющей находить достаточно точные решения на пространственно-временных сетках. Важной характеристикой программы является то, что она может находить решения при смешанных условиях на границе, т.е. при заданных потенциалах и при заданных полных токах через заданные участки границы (электрод) [1].

II.  Основная часть

ПТШ имеет два слабых места: это область у стокового края затвора и в канале вблизи стока, причем физические механизмы, приводящие к разрушениям в первой и второй областях, сильно различаются [23]. Для того чтобы выяснить этот вопрос, было использовано простое выражение для выходной мощности, полученное без учета влияния обратных связей и реактивностей выходной цепи транзистора:

V. Заключение

Созданная библиотека базовых элементов позволяет существенно сократить сроки разработки монолитных и гибридно-монолитных приборов на GaAs. Пассивные базовые элементы позволяют проектировать не только монолитные, но и гибридномонолитные приборы с такими же топологическими нормами, и применением в их составе компонентов, технология изготовления которых может отличаться от GaAs.

VI.  Список литературы

[ 1 ] www. ansoft. com/ansoftdesigner

[2]  www.agilent.com/eesof-eda

[3]  www.appwave.com

[4]  Edward L Griffin “INVITED: X-BAND GaAs MMIC SIZE REDUCTION AND INTEGRATION”, 2000 IEEE MTT-S Digest

[5]  www.ums.com

[6]  А. В. Крутов, В. А. Митлин, А. С. Ребров, К. В. Дуди нов. «Состояние и возможности проектирования и производства GaAs приборов СВЧ в ГНПП «Исток»». —

В кн.: 8-я Международная Крымская конференция “СВЧтехника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’98). Материалы конференции. [Севастополь,

14-           17 сент. 1998 г.]. — Севастополь: Вебер, 1998, т. 2, стр. 130-135. ISBN 966-572-027-9.

GAAS MMIC DESIGN USING BASIC ELEMENTS LIBRARY

Krutov A. V., Rebrov A. S., Temnov A. M.

‘Istok’ Federal State-Owned Unitary Research

&                         Production Enterprise 2A Vokzalnaya, Fryazino, Moscow Region,

Russia, 141190 phone +7 (95) 4658693, fax +7 (95) 4658686 e-mail: cd1255@elnet.msk.ru

Abstract In this report the issues related to the design of microwave monolithic and hybrid-monolithic integrated circuits using the library of basic elements are considered. The MMIC production technique is shown which provides for the generation of active and passive circuit elements with a electronic microscope dimensional processing at resolutions below

Puc. 8. Усилитель с регулировкой усиления Fig. 8. Variable gain amplifier

0.            25|jm and with a 1|jm photolithographic processing. The structure of the library of basic elements is shown, which includes metal and mesa-resistors, metal-insulator-metal capacitors, inductors, air bridges, plated holes, and field effect transistors. The topological standards for the base elements are integrated into the production cycle. The design of a monolithic low noise amplifier and a hybrid-monolithic amplifier is shown.

Аннотация — Предлагается полностью симметричная модель активного линейного четырехполюсника, задаваемая матрицей S-параметров активного элемента. Модель предназначена для описания структур транзисторов и позволяет определить на основе измеренных S-параметров паразитные элементы, внесенные в результате монтажа транзисторов в СВЧ-схему.

I.  Введение

Модель активного линейного четырехполюсника, задаваемая матрицей S-параметров, была специально разработана для системы компьютерного моделирования (СКМ) MIC Optimizer [1] с целью упрощения интерпретации результатов измерений Sпараметров СВЧ транзисторов или усилителей.

II.   Основная часть

Исходными данными для модели является таблица S-параметров четырехполюсника, задаваемая в формате Touchstone (амплитуда и фаза Sпараметров с равномерным шагом по частоте).

В модели на каждой частоте анализа на основе коэффициентов комплексной S-матрицы определяется комплексная Y-матрица

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 2003г.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты