ИСТОРИЯ, СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕМАТИКИ АКТИВНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ В ЦНИРТИ – ЧАСТЬ 4

July 27, 2012 by admin Комментировать »

Создание первых в институте (и в стране) серийных ЛБВ непрерывного действия в коротковолновой части сантиметрового диапазона волн под руковод-

ством главного конструктора Пасечник 3. Н.стало началом промышленного выпуска этих приборов и поставки их многочисленным потребителям. Широкополосные ЛБВ обеспеивали построение аппаратуры нового поколения и на протяжении 30 лет не потеряли своей актуальности. Освоенные на заводе “Генератор” ПО «Октава» эти ЛБВ до настоящего времени эксплуатируются в странах СНГ и ближнего зарубежья. Созданы 100-ватные лампы для фазированных антенных решеток , разработана серия широкополосных ЛБВ непрерывного и импульсного действия, предназначенная для использования в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения.

Дальнейшее развитие электровакуумного направления в институте привело к созданию уникальных конструкций ЛБВ, параметры которых вышли на уровень высших мировых достижений. Под руководством Перекупко В. А. созданы первые отечественные ЛБВ импульсного действия с уровнями выходной мощности до 2,5 кВт., многолучевая низковольтная мощная ЛБВ квазинепрерывного действия двух см. диапазона длин волн. Создание приведенного класса приборов потребовало решения научнотехнических и конструкторско-технологических проблем, связанных с разработкой и изготовлением прецизионных замедляющих систем (ЗС), отличающихся идентичностью фазовых и амплитудных характеристик; обеспечением эффективного отвода тепла от ЗС, обеспечения устойчивой работы широкодиапазонных спиральных ЛБВ и многосекционных ЛБВ с ЗС типа цепочки связанных резонаторов во всех рабочих режимах и условиях эксплуатации; разработкой надежных и эффективных узлов согласования и вывода энергии; разработкой надежных и стабильных в работе электронно-оптических систем;

созданием высокоэффективных многоступенчатых коллекторных узлов.

ЛБВ импульсного действия мм диапазона волн Pulse TWT for the тт-waveband

В 1968 г. Постановлением Кабинета Министров перед научными предприятиями отрасли была поставлена задача ликвидации отставания (по оценкам некоторых специалистов до 20 лет) отечественного уровня твердотельной СВЧ электроники. Под руководством В. Д. Борисенко в НИИ “Орион” развивается новое направление по созданию полупроводниковых приборов СВЧ. Коллектив энтузиастов нового направления возглавили Рыбалка В. В., Ярешко Ю. П. Весьма удачным оказалось решение из многочисленных приборов бурно развивающегося направления твердотельной электроники сосредоточить основное внимание на двухэлектродных генерирующих и управляющих полупроводниковых приборах. Ровесники института генераторы на ЛПД и диодах Ганна не утрачивают актуальности и обеспечивали на протяжении 30 лет достаточно емкий портфель заказов. Решающим фактором в развитии полупроводникового направления в институте явилось создание специализированных технологических подразделений под руководством ХоменкоЛ.А., Иванова В. Н., в которых выполнялась разработка и изготовление полупроводниковых активных и пассивных элементов.

Первые работы, заложившие основы базовых технологий и принципы разработки диодных структур на основе кремния и арсенида галлия, были выполнены под руководством Рыбалка В. В., Хоменко Л. А., Цвирко Ю. А., Иванова В. Н.

Коллектив технологов под руководством Хоменко Л. А., Рыбалка В. В. сумели на отечественных материалах и отечественной технологической базе создать первые двухпролетные ЛПД миллиметрового диапазона с КПД 11-15 %. Создаются первые отечественные твердотельные генераторы 8-мм диапазона, калибровочные шумовые генераторы миллиметрового диапазона длин волн. Под руководством Ярешко Ю. П., разработаны первые отечественные твердотельные управляющие устройства, которые уже в 1972 году улетели на космических станциях “Марс-4”, “Марс-5”,“Марс-6 “, “Марс-7”.

Под руководством главного конструктора Звершховского И. В. была разработана и установлена на участке ВЛС “Перово-Балашиха» первая отечественная твердотельная приемо-передающая аппаратура 8-ми мм диапазона. Разработка этой аппаратуры положила начало созданию в институте многофункциональных (комплексированных) модулей на основе разрабатываемых в НИИ “Орион” микроволновых элементов и приборов.

В 1971 году институт с опытным заводом, входят в состав ПО «Октава». Директором НИИ назначается в 1973г. Фомичев Алексей Павлович, заместителем по науке главным инженером института Звершховский И. В., директор опытного завода Фещенко В. А.

Развитие электроники в начале 70-х годов со всей очевидностью показало, что реализация высоких выходных параметров устройств СВЧ возможна только при комплексной разработке. В институте начинаются работы по созданию комплекса для приемопередающей бортовой аппаратуры. Завершение ряда ОКР по отдельным приборам этого комплекса и их стыковке воплотилось в построении первой промышленной многолучевой, импульсной, низковольтной ЛБВ с МПФС, многочастотного малошумящего задающего генератора на ДГ с электрическим переключением частот, электрически перестраиваемого гетеродина приемника на ДГ. Ускорение разработок комплексированных устройств в институте в значительной степени было обусловлено потребностью, переоснастить действующую РЛС МИГ-25 твердотельным задающим генератором.

Разработанный под руководством Цвирко Ю.А. многофункциональный двухканальный модуль задающего генератора доплеровской РЛС на диодах Ганна, работающий в 2-х сантиметровом диапазоне с переключением фиксированных частот и усилением мощности в непрерывном и импульсном каналах позволил повысить дальность действия РЛС в 3 раза и в несколько

раз улучшил селекцию сигналов от движущихся объектов на фоне земли. Серийный выпуск модуля тысячами штук в год на серийном заводе ПО «Октава» обеспечил комплектацию бортовой аппаратуры самолетов разной модификации, эксплуатируемых в настоящее время в странах СНГ и за рубежом.

В 1977г. директором института назначается Звершховский Игорь Всеволодович, главным инженером Ящишин П. И, директор опытного завода Перевертень В. И. Завершается строительство и вводится в эксплуатацию 2-ая очередь института.

В институте создается технологический комплекс с зонами чистых комнат, обеспечивающих выполнение процессов: диффузии, металлизации, фотолитографии, финальной сборки, тестирования создание участка по выращиванию сверх тонких полупроводниковых многослойных эпитаксиальных кремниевых структур (Приходько В. Л., Иванов В. Н., Болтовец Н. С.), что позволило производить в необходимых количествах кремниевые ЛПД и лавинно-умножительные диоды непрерывного и импульсного режима, арсенид галлиевые диоды Ганна, PIN-диоды, варикапы, смесительные диоды. Разрабатываются уникальные технологические процессы разработки СВЧ приборов.

Институт активно участвует в реализации программы Министерства обороны и АН “Фундаментальные и поисковые работы" по направлению изыскания новых принципов генерирования, проводится цикл теоретических работ по оптимизации профиля легирования, динамическим и статическим неоднородностям распределения зарядов в объеме диода и на его границах, по определению геометрии полупроводниковых структур во всем частотном диапазоне от 30 до 300 ГГц. Коллективом технологов организовано производство кремниевых ЛПД и лавинно-умножительных диодов импульсного и непрерывного действия, арсенид галлиевых диодов Ганна, p-i-n диодов, смесительных диодов. Специалисты НИИ сумели на отечественных материалах и отечественной технологической базе создать кремниевые однопролетные и двухпролетные ЛПД миллиметрового диапазона волн с энергетическими и диапазонными параметрами на уровне лучших зарубежных образцов.

Автоматизированное проектирование и производство эффективно используются на всех этапах разработок и изготовления приборов, обеспечивая оптимизацию их характеристик и высокую степень надежности и повторяемости выходных параметров конечной продукции.

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 2003г.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты