ТРАНСПОРТИРОВКА СИЛЬНОТОЧНЫХ РЕЛЯТИВИСТСКИХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ В КОАКСИАЛЬНЫХ КАМЕРАХ ДРЕЙФА

August 2, 2012 by admin Комментировать »

Балакирев В. А., Ткач Ю. В., Яценко Т. Ю. ИЭМИ, пр. Правды, 5, Харьков-22, 61022, а/я 4580, Украина тел./факс: 057-2-435952, e-mail: tatyana@iemr.vl.net.ua

Аннотация В приближении огибающих трубчатого СРЭП получена и исследована нелинейная система уравнений, описывающая процесс распространения СРЭП в коаксиальной камере дрейфа, помещенной в постоянное однородное магнитное поле.

I.  Введение

Исследование процессов транспортировки сильточных релятивистских электронных пучков (СРЭП) в магнитном поле представляет интерес для ряда приложений. Среди них такие как усиление и генерация микроволн, коллективное ускорение ионов в прямолинейных СРЭП, нагрев плазмы посредством коллективных неустойчивостей. До настоящего времени основное внимание уделялось изучению транспортировки СРЭП в цилиндрических камерах дрейфа [1,2]. Между тем ряд новых возможностей открывает использование коаксиальных камер дрейфа (ККД), особенно в усилителях и генераторах микроволнового излучения на базе СРЭП. Дело в том, что в ККД существенно повышается предельный вакуумный ток [3]. Это позволяет при тех же габаритах камеры дрейфа существенно увеличить транспортируемый ток и, наоборот, при заданном токе СРЭП существенно уменьшить габариты системы.

В настоящем докладе представлены результаты теоретических исследований стационарного процесса транспортировки СРЭП в ККД, помещенной во внешнее однородное магнитное поле. Рассмотрение выполнено в приближении огибающих трубчатого СРЭП.

II.                         Постановка задачи. Основные уравнения

Камера дрейфа представляет собой коаксиальную систему из двух металлических труб. В области между цилиндрическими трубами распространяется трубчатый СРЭП. ККД помещена в постоянное однородное ведущее магнитное поле, параллельное оси системы. В случае кусочно-однородного профиля плотности СРЭП для компонент собственного электромагнитного поля имеем следующие выражения

1 (1 in ?7                                      р2

Е =Еп————- + Л-1ПД, -Л———– — L

Iо                           2 ,                    ^2            2 2’

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 2003г.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты