Тестер полупроводниковых элементов

October 21, 2012 by admin Комментировать »

В этой статье представлено устройство – тестер полупроводниковых
элементов.   Прототипом этого устройства послужила статья размещенная
на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет
номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень
полезен начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов      (имя элемента – индикация на дисплее):
    – NPN транзисторы – на дисплее “NPN”
    – PNP транзисторы – на дисплее  “PNP”
    – N-канальные-обогащенные MOSFET – на дисплее “N-E-MOS”
    – P-канальные-обогащенные MOSFET – на дисплее “P-E-MOS”
    – N-канальные-обедненные MOSFET – на дисплее  “N-D-MOS”
    – P-канальные-обедненные MOSFET – на дисплее “P-D-MOS”
    – N-канальные JFET – на дисплее “N-JFET”
    – P-канальные JFET – на дисплее “P-JFET”
    – Тиристоры – на дисплее “Tyrystor”
    – Симисторы – на дисплее “Triak”
    – Диоды – на дисплее “Diode”
    – Двух катодные сборки диодов – на дисплее “Double diode CK”
    – Двух анодные сборки диодов – на дисплее “Double diode CA”
    – Два последовательно соединенных диода – на дисплее “2 diode series”
    – Диоды симметричные – на дисплее “Diode symmetric”
    – Резисторы – диапазон от 0,5 К до 500К [K]
    – Конденсаторы – диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
     При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
    Описание дополнительных параметров измерения:
    – H21e (коэффициент усиления по току) – диапазон до 10000
    – (1-2-3) – порядок подключенных выводов элемента
    – Наличие элементов защиты – диода – “Символ диода”
    – Прямое напряжение – Uf [mV]
    – Напряжение открытия  (для MOSFET) – Vt [mV]
    – Емкость затвора (для MOSFET) – C= [nF]

Схема устройства

   Программирование микроконтроллера

    Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.
Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие
с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка
EEPROM, а также макет печатной платы.

Fuse-биты mega8

    Процесс
измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему
(1,2,3) и нажмите кнопку “Тест”. Тестер покажет измеренные показания и
через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии
заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа “Крона”.

Тестирование симистора

Тестирование диода

Тестирование светодиода

Тестирование сдвоенного диода

Тестирование MOSFET

Тестирование транзистора NPN

Тестирование транзистора PNP

Автор: Нет данных

Связь с автором: Нет данных

Веб сайт автора: Нет данных

Прислал: Нет данных

Источник: radioparty.ru

Доп материалы, файлы к устройству (схеме):

Схема, прошивка, печатка

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты