Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013 by admin Комментировать »

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

Исследование структуры пленок в процессе их роста позволило определить основные источники дефектов в пленках. К ним относятся следующие.

1. Дефекты подложки. Пленка может наследовать дислокации подложки.

2. Дислокации несоответствия.

3. Малоугловые границы, образующиеся при срастании стабильных крупных зародышей, имеющих различную ориентацию.

Дефекты упаковки, возникающие при коалесценции зародышей. Причина их возникновения — несоответствие решеток зародышей, связанное с нарушением порядка чередования атомных плоскостей при слия

нии стабильных зародышей по сравнению с ненарушенным монокристаллом. Дефекты упаковки могут возникать и в месте контакта зародыша и подложки.

4. Дислокации, возникающие из-за эффектов пластической деформации растущей пленки. После коалесценции зародышей и образования сплошной пленки механизм возникновения дислокаций несоответствия перестает действовать. Вместе с тем с ростом толщины пленки в связи с уменьшением доли несоответствия, компенсируемой за счет упругой деформации, напряжение, при котором начинается пластическая деформация, уменьшается, что ведет к возрастанию плотности дислокаций.

5. В случае сильно легированных подложек дефекты в эпитаксиальных слоях могут вызываться выделениями и предвыделениями второй фазы в подложке.

6. Загрязнения поверхности подложки также могут приводить к образованию дефектов в эпитаксиальном слое.

Источник: И. А. Случинская, Основы материаловедения и технологии полупроводников, Москва — 2002

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты