Оценка теплового режима транзистора IGBT

August 6, 2013 by admin Комментировать »

Оценка теплового режима транзистора IGBT является отправной точкой для принятия решения о разработке дополнительного радиатора охлаждения. В технической документации все необходимые данные для такой оценки есть: приведены тепловые сопротивления «кристалл—корпус», «корпус—радиатор», «кристалл—среда», имеется графически представленная зависимость нормированного теплового сопротивления «кристалл—корпус» от частоты следования импульсов

Рис. 2.1.41. Зависимость энергии переключения от величины тока коллектора для транзистора IRG4PC40S

и их скважности (этот график мы подробно рассмотрели в части, посвященной транзисторам MOSFET).

Источник: Семенов Б. Ю. Силовая электроника: профессиональные решения. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. — 416 c.: ил.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты