Серийный выпуск большой номенклатуры IGBT ОАО «Электровыпрямитель»

August 27, 2013 by admin Комментировать »

Серийный выпуск большой номенклатуры IGBT модулей общепромышленного исполнения налажен в ОАО «Электровыпрямитель» [21] (г.Саранск). Без преувеличения можно сказать, что это предприятие — ведущее в России по выпуску IGBT модулей. Продукция ОАО «Электровыпрямитель» по своей номенклатуре и техническим параметрам может соперничать с аналогичной продукцией ведущих зарубежных фирм, таких, как «Mitsubishi», «International Rectifier», «Еирес», «Semikron». Более того, отечественные модули спроектированы полностью взаимозаменяемыми с зарубежными прототипами, и поэтому их можно просто устанавливать на штатные места, не опасаясь неправильных подключений.

Наиболее популярными на сегодняшний день являются приборы, размещенные в корпусе типа DOUBLE-INT-A-PAK (рис. 2.1.47). Подобным образом «корпусируются» два транзистора, соединенных по схеме полумоста и шунтированных быстрыми оппозитными диодами. Основание модуля, представляющее собой металлическую пластину, изолировано от токоведущих электродов, поэтому модуль можно за-

креплять на радиаторе без электроизоляционных подложек. Крепление модуля к радиатору осуществляется с помощью четырех болтов через отверстия, расположенные по углам. Три мощных электрода, имеющих винтовые прижимные соединения, предназначены для подключения силовых шин. Сбоку выведены электроды управления. «Разводка» силовых шин очень удобная: точка соединения коллектора первого транзистора и эмитгера второго транзистора выведена с края модуля, что в значительной степени помогает рационально скомпоновать конструкцию статического преобразователя. Токовая нагрузка полупроводниковых элементов в корпусах DOUBLE-INT-A-PAK обычно не превышает .500 А.

Для сравнения в табл. 2.1.8 приведены основные динамические характеристики серии IGBT модулей типа М2ТКИ-200-12, рассчитанных на номинальное рабочее напряжение 1200 В и номинальный ток коллектора 200 А. Модули конструктивно размещены в корпусе типа DOUBLE-INT-A-PAK. При этом модули с индексом «Н» представляют собой исполнение с низкими статическими потерями, модули с индексом «Ч» — с низкими динамическими потерями, а модули с индексом «К» — новые, изготовленные с применением перспективной технологии «Trench gate». Выпускаются также модули с индексом «Т» — с повышенной устойчивостью к термоциклам, то есть к частому изменению температуры.

Таблица 2.1.8. Основныединамическиеданные модулей М2ТКИ-200-12

Не уступает в популярности названному выше и корпус INTA-PAK (рис. 2.1.48). Так же, как и в предыдущем случае, здесь «корпусируются» два транзистора и два диода с соединением по схеме полумоста. Данный корпус позволяет размещать в нем транзисторы, рассчитанные на номинальный ток коллектора до 200 А.

К примеру, в корпусе типа INT-A-PAK размещен модуль типа М2ТКИ-50-12 с номинальным током 50 А и рабочим напряжением 1200 В. Сравнительные технические характеристики модулей этой серии приведены в табл. 2.1.9.

Интерес для разработчика могут также представлять модули (рис. 2.1.49), обеспечивающие значение сопротивления изоляции между электродами и термоподложкой не менее 20 кВ. Габаритные и присоединительные размеры корпуса соответствуют международным стандартам, а конструкция защищена патентами.

Источник: Семенов Б. Ю. Силовая электроника: профессиональные решения. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. — 416 c.: ил.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты