Борьба с эффектом самопроизвольного открывания MOSFET

September 8, 2013 by admin Комментировать »

Борьба с эффектом самопроизвольного открывания может вестись несколькими способами. Во-первых, сопротивление затворного резистора Rg должно быть достаточно малым, тогда оно будет шунтировать емкость C^ ослабляя влияние {dUJdt). Типичное значение Rge реальных схемах обычно не превышает нескольких сотен Ом. Иногда применяют защитную схему, состоящую из параллельного соединения конденсатора и затворного резистора, подключая ее между стоком и истоком.

Следующие способы защиты затвора полевых транзисторов направлены не на предотвращение эффекта самопроизвольного открытия под действием наведенного тока, а на сохранение целостности затвора и исключения его пробоя. Понятно, что с помощью схемотехнических решений можно остановить процесс лавинообразного нарастания тока и защитить силовые цепи «сток—исток» от выгорания. Но «спасать» от потенциального пробоя нужно и затворы. Два наиболее часто встречающихся варианта защиты показаны на рис. 2.1.10. Вариант «а» реализовать очень просто — достаточно установить в схему стабилитрон VD с напряжением стабилизации порядка 18…22 В, то есть на безопасном для затвора уровне. При возникновении аварийной ситуации стабилитрон «съест» перенапряжение, и затвор транзистора не будет пробит. В качестве фиксирующего элемента возможно также применить более

современные сапрессоры, разработанные и выпускающиеся специально для этих целей.

Второй вариант, называемый активной защитой от наведенных токов, изображен на рис. 2.1.10, 5. Здесь конденсатор С достаточно большой емкости заряжен от источника постоянного напряжения Ua (в качестве этого источника обычно выступает устройство питания драйвера управления). К затвору транзистора VT конденсатор С подключен через обратносмещенный диод VD. При превышении напряжения на затворе величины Ua диод VD откроется и наведенный ток не пробьет затвор, так как «стечет» в конденсатор С, немного его подзарядив.

Источник: Семенов Б. Ю. Силовая электроника: профессиональные решения. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. — 416 c.: ил.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты