Одиночные светодиоды с буферными транзисторами на MK

March 8, 2014 by admin Комментировать »

Нагрузочная способность одной линии MK не безгранична. Бывают ситуации, когда необходимо между светодиодом и выходом порта поставить буферный транзистор. Делают это в тех случаях, когда:

•                 для нормальной работы светодиода требуется повышенный ток (Табл. 2.2);

•                 для нормальной работы светодиода требуется повышенное напряжение от отдельного источника питания;

•                 необходимо застабилизировать ток через светодиод;

Рис. 2.8. Схемы подключения одиночных светодиодов через буферные транзисторы {начало):

На Рис. 2.8, a…o показаны схемы подключения одиночных светодиодов к MK через буферные транзисторы.

Таблица 2.2. Параметры светодиодов повышенной яркости

•                 светодиод специально подключается к источнику высокого нестабилизиранного напряжения, чтобы уменьшить токовую нагрузку на низковольтный стабилизатор питания MK.

а) тип транзистора F77, а также сопротивление и мощность резистора Л2выбираются в зависимости от модели светодиода HL1 и напряжения питания +3…+12 В. Расчёт ведётся по закону Ома, учитывая, что напряжение икэ открытого транзистора составляет 0.2…0.4 В. Сопротивление резистора R1 тем меньше, чем выше ток через светодиод и чем ниже коэффициент h2X3 VT1\

б) инвертирование сигнала при помощи транзистора VT1. При НИЗКОМ уровне на выходе МК  светится индикатор HL1, при ВЫСОКОМ — HL2\

в) «высоковольтный» светодиод HL1 имеет встроенный гасящий резистор. Чтобы не вывести МК  из строя высоким напряжением, применяют буферный транзистор VT1\ О

г) элементы VD1.. VD3, R2 стабилизируют ток через светодиод HL1 с одновременным получением стабильного регулируемого напряжения «V+», «V-» для внешних узлов (варикапа);

д) маломощный светодиод HL1 дублирует вспышки света удалённого мощного индикатора HL2. Резистор &2запираеттранзистор VT1 во время рестарта MK, чтобы гарантированно погасить светодиод HL2. Если этого не требуется, то резистор R2 может отсутствовать;

е) аналогично Рис. 2.8, а, но с транзистором VT1 проводимости p-n-p\

ж) транзисторы VT1, VT2 поочерёдно включают, светодиоды HL1, HL2. К каждому из светодиодов прикладывается сумма напряжения питания (3 В) и напряжения, накопленного на конденсаторе C1 (2.5 В). Резистор R3 ограничивает ток заряда/разряда;

з) в цепи эмиттера транзистора VT1 отсутствует ограничительный резистор. Это допускается при батарейном питании и интеллектуальном управлении, когда скважность импульсов в канале ШИМ подстраивается под напряжение питания. Параметры светодиода HL1 — 350 мА/3.4 В; О

и)         светодиод HL1 включается в базу транзистора VT1. Отсутствие его свечения при НИЗКОМ уровне на линии MK свидетельствует о неисправности транзистора;

к) на элементах VT1, VT2, R3 собран аналог лавинного транзистора, который вместе с накопительным конденсатором C1 формирует вспышки света индикатора HL1. Достоинство — низкий и равномерный ток потребления, из-за чего продлевается жизнь батареи GB1\

л) ток через светодиод HL1 стабилизируется элементами VD1, VD2, VT1 в целях сохранения постоянной яркости свечения при колебаниях напряжения питания

м) аналогично Рис. 2.8, л, но с двух транзисторным стабилизатором тока. Ток стабилизации определяется по формуле /[мА] = 700/Л2[Ом];

н) однопереходной транзистор VT1 служит ключом для HL1 с током не более 150 мА; О

о)умножитель напряжения с накопительной индуктивностью L1 и мощными полевыми ключами, находящимися в транзисторной сборке DA1. Обмотка катушки L1 должна выдерживать прямой ток 150 мА, проходящий через светодиод HL1. Частота генерации сигнала на выходе MK 25…35 кГц. Изменение яркости производится регулированием скважности ШИМ;

п) светодиод HL1 специально подключается к нестабилизированному источнику напряжения +9…+ 15 В, а не к питанию MK +5 В. Тем самым уменьшается токовая нагрузка на стабилизатор DA1. Суммарная мощность потерь (т.е. КПД) при этом не изменяется. Если тщательно подобрать сопротивление резистора R2, то по яркости свечения индикатора HL1 можно визуально оценивать уровень напряжения питания на входе устройства;

p) аналогично Рис. 2.8, п, но на полевом транзисторе Г77, с другими номиналами элементов и с большей детализацией схемы. Резистор R3 закрывает транзистор VT1 во время рестарта MK, при этом индикатор #L/будет погашен.

Источник: Рюмик, С. М., 1000 и одна микроконтроллерная схема. Вып. 2 / С. М. Рюмик. — М.:ЛР Додэка-ХХ1, 2011. — 400 с.: ил. + CD. — (Серия «Программируемые системы»).

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты