УСТРАНЕНИЕ НЕИСПРАВНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРОННЫХ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТАХ – СДЕЛАЙ САМ

July 10, 2014 by admin Комментировать »

Самая распространенная неисправность электронных телефонных аппаратов — отсутствие набора номера, которое может иметь место по разным причинам. Вот перечень причин в порядке частоты их проявления на практике:

—  неисправность цепи питания микросхемы электронного набора номера (МС ЭНН);

—    внутренняя неисправность МС ЭНН;

—  выход из строя транзисторов импульсного (ИК) или разговорного (РК) ключей (усилителей тока).

Устранение этих систематически возникающих неисправностей важно само по себе, но еще важнее метод их устранения, который позволял бы радиолюбителю быстро определить неисправность телефонного аппарата (ТА) и его узлов и устранить ее.

Прежде чем определять работоспособность МС ЭНН, следует проверить цепь ее питания, содержащую, как правило, ограничительный резистор, диод и оксидный конденсатор. Эта типовая цепь может обеспечивать питание МС ЭНН как до импульсного ключа, так и после него. В первом случае питание МС ЭНН при срабатывании ИК никогда не отключается. Во втором случае питание МС ЭНН некоторых ТА коммутируется при изменении режима, что приводит к незначительному снижению потребления тока микросхемой.

Место соединения выхода МС ЭНН и ИК на транзисторах VT1, VT2 (обозначение автора) иллюстрирует Рис. 3.7.

Чтобы удостовериться в исправности МС ЭНН, надо измерить напряжение на коллекторах транзисторов ИК ЭНН. Если это напряжение меньше +5 В, очевидно, пробиты диоды выпрямительного моста на входе ТА в месте подключения к ТЛ. Если напряжение в этом узле близко значению +60 В, а напряжение на базе первого транзистора ИК близко нулю, очевидно, транзисторы ИК исправны, а неисправность имеется во внутренней схеме МС ЭНН, на ее выходе, который «пробит на массу» и заземляет базу первого транзистора ИК (VT1), тем самым запирая ключ на VT1, VT2 (Рис. 3.7). Чтобы убедиться в этом, надо отсоединить выход МС ЭНН от базы транзистора VT1 (точка А на

Рис. 3.7): если напряжение на коллекторах VT1 и VT2 окажется в диапазоне 5… 15 В, значит, предположение верно, и микросхему ЭНН следует заменить. Очевидно, что, идя от противного, можно проверить исправность импульсного ключа.

Для проверки правильности работы транзисторного ключа, или усилителя тока, к базе первого транзистора VT1 при отсоединенном выходе МС ЭНН надо подключить микровыключатель SB1 с фиксацией состояния, например мини-тумблер MTS-1 (на Рис. 3.7 показан пунктиром). В разомкнутом состоянии SB1 напряжение в объединенной точке коллекторов VT1, VT2 должно быть в пределах 5… 15 В, а при замыкании контактов SB1 оно должно увеличиться в телефонной линии до +60 В. Если этого не произошло, значит, «пробиты» транзистор VT1 или VT2. При выходе из строя даже одного из них желательно заменить оба, причем на отечественные аналоги, так как последние более устойчивы к перенапряжению и импульсному характеру работы данного узла. Для замены транзисторов ИК подходят КТ503.

Аналогично проверяется состояние разговорного узла (РК), если он задействован в схеме ТА.

Рис. 3.7. Типовое соединение выхода МС ЭНН и импульсного транзисторного ключа

Рис. 3.8. Схема подключения дублирующего питания к МС ЭНН

Если все же неисправность обнаружена в цепи питания МС ЭНН, не изменяя схемы и не тратя время на ремонт ТА, разумно продублировать питание МС ЭНН так, как это показано на Рис. 3.8.

Источник: Кяшкаров А. П., Собери сам: Электронные конструкции за один вечер. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2007. — 224 с.: ил. (Серия «Собери сам»).

Оставить комментарий

Устройство витков выходе генератора импульсов микросхемы мощности нагрузки напряжение напряжения питания приемника пример провода работы радоэлектроника сигнал сигнала сигналов сопротивление схема теория транзистора транзисторов управления усиления усилитель усилителя устройства частоты