МИКРОВОЛНОВАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ – ЧАСТЬ 2

November 23, 2014 by admin Комментировать »

Различия между традиционным и микроволновым нагревом могут быть описаны математически в рамках простой модели, основанной на уравнении теплопроводности с распределенным объемным источником тепла:

где ср – удельная теплоемкость, р – плотность, к – коэффициент теплопроводности материала, w – локальная плотность источников тепла. Уравнение (1) может быть использовано как основа для оценок однородности температуры и скоростей нагрева для различных процессов. Такие оценки [9] подтверждают, что применение микроволн может обеспечить большие скорости нагрева и улучшенную однородность температуры по сравнению с традиционными методами.

Микроволновая обработка образцов, окруженных теплоизоляцией, обычно производится в закрытом резонаторе, называемом также аппликатором. На низких частотах ширина полосы частот собственной моды резонатора обычно меньше, чем частотный интервал между соседними собственными модами, это означает, это возбуждается единственная мода. Для получения хорошего согласования необходима тщательная настройка резонатора до совпадения одной из его резонансных частот с рабочей частотой микроволнового источника. Резонансные частоты резонатора зависят от размеров, формы и диэлектрических свойств помещенного в него образца. Поэтому согласование оказывается зависящим от температуры, кроме того, настройка требуется для каждого нового образца, помещаемого в резонатор. Другой проблемой микроволновой обработки с использованием одномодовых резонаторов является выраженная неоднородность микроволнового поля в объеме резонатора, максимумы и минимумы которого расположены на расстоянии порядка 1/4 длины волны. Такая неоднородность поля затрудняет обработку образцов большого размера и партий образцов.

В миллиметровом диапазоне ширина полосы частот моды обычно больше, чем частотный интервал между соседними собственными модами. В этом случае осуществляется многомодовый режим, характеризующийся одновременным возбуждением целого ряда мод. Преимуществами этого режима являются отсутствие строгих требований к настройке и возможность достижения значительно более однородного распределения микроволновой мощности в объеме резонатора. Многомодовый режим допускает дальнейшее улучшение однородности распределения мощности путем введения подвижных металлических объектов в резонатор с целью так называемого размешивания мод.

Оптимизация систем микроволновой обработки материалов требует широкого использования численного моделирования. В случае, когда отношение объема резонатора к кубу длины волны (ν/λ3 ) не превышает приблизительно 103 (что обычно справедливо для микроволновых систем с рабочей частотой 2,45 ГГц), распределение электромагнитного поля в резонаторе, в том числе и при наличии в нем нагрузки, может быть рассчитано методами конечных разностей [10]. Однако в применении к системам миллиметрового диапазона

(г/λ[2] [3] [4] >10[5]) методы конечных разностей требуют чрезмерно больших вычислительных ресурсов и времени вычисления. Для таких систем разработаны приближенные методы численного моделирования, использующие геометрооптический подход [11, 12]. В настоящее время актуально численное моделирование всего процесса микроволновой обработки, включая расчет температурного распределения в образце и его уплотнения в результате спекания.

Высокотемпературная обработка твердых материалов обычно основана на активации процессов массопереноса и их использовании для изменения каких-либо свойств материалов. Массоперенос в твердой фазе имеет по большей части диффузионную природу. Одним из важнейших и в то же время достаточно простым механизмом массопереноса в кристаллических телах является диффузия вакансий. Коэффициент диффузии вакансий пропорционален вероятности перескока атома в соседний вакантный узел кристаллической решетки:

»

где а – параметр решетки, υ0 – частота колебаний атомов, AF – высота потенциального барьера между равновесными положениями атома в решетке, к – постоянная Больцмана. Из уравнения (2) нетрудно видеть, что диффузия является термически активируемым процессом, т. е. она становится существенной, только когда температура превысит некоторое критическое значение, определяемое энергией активации.

Важным высокотемпературным процессом является спекание [13] – процесс уплотнения скомпактированных порошковых тел, происходящий при температуре ниже температуры плавления, путем аккомодации формы частиц порошка. Основной движущей силой процесса спекания являются капиллярные напряжения, действие которых приводит к уменьшению свободной энергии, связанной с поверхностью. Материалы, полученные путем спекания (в частности, керамические материалы), имеют плотность, почти равную плотности монокристалла соответствующего вещества, и обычно обладают высокой твердостью и механической прочностью, которые тем больше, чем меньше размер зерна. Последний необязательно совпадает с размером частиц исходного порошка, поскольку диффузионные процессы в течение спекания вызывают рекристаллизационный рост зерна.

том температуры. Это характерно для многостадийных термически активируемых процессов, в которых отдельные стадии характеризуются различными значениями энергии активации. Примером такого процесса является спекание керамики. На различных стадиях спекания массоперенос определяется диффузионными процессами различной природы, а именно поверхностной, зернограничной и объемной диффузией. Известно [13], что подавление поверхностной диффузии на начальной стадии уплотнения положительно влияет на результаты спекания. Увеличение скорости нагрева в начале уплотнения может замедлить формирование жесткой структуры шеек между зернами, которое происходит за счет поверхностной диффузии, и сохранить достаточно высокими лапласовские движущие силы уплотнения. Пидимому, высокоскоростной нагрев играет аналогичную роль в многостадийных химических процессах, в которых при повышении температуры осуществляется последовательность химических реакций с различными значениями энергии активации.

На промежуточной и финальной стадиях процесса спекания высокие скорости микроволнового нагрева помогают преодолеть рекристаллизационный рост зерна и получить керамические материалы с мелкодисперсной микроструктурой и высокими механическими свойствами. Возможность осуществлять высокоскоростной нагрев при помощи микроволн имеет большое значение для спекания наноструктурных керамических и композиционных материалов, где основной проблемой является рекристаллизационный рост зерна. С тех пор как в первых экспериментах по высокоскоростному микроволновому спеканию наноматериалов была получена керамика из ТЮ2 с плотностью 90% и средним размером зерна менее 20 нм [7], в данной области проведены достаточно обширные исследования [6, 16].

Благодаря объемному поглощению излучения микроволновый нагрев является безынерционным, в отличие от традиционного нагрева, где достижимая скорость нагрева зависит от теплопроводности нагреваемого материала. Поскольку при микроволновой обработке мощность источников тепла определяется поглощением излучения внутри вещества, нагрев легко управляется изменением подводимой микроволновой мощности. Мгновенное и безынерционное управление нагревом является важнейшим фактором в процессах, использующих экзотермические химические реакции. Среди таких процессов можно отметить карбонизацию вольфрама (W + С —» WC), являющуюся частью процесса спекания твердосплавных композитов WC – Со [17], и азотирование кремния Si + N2 —>Si3N4 [18]. В последнем случае скоростью реакции можно управлять при помощи обратной связи, использующей данные об увеличении массы образца в процессе азотирования для изменения микроволновой мощности, подводимой к реактору.

Как упомянуто выше, температурное распределение в теле, в котором происходит поглощение микроволн, отличается от такового при традиционном нагреве. Фактически в каждом случае применения микроволнового нагрева для обработки материалов возникает вопрос, в какой степени преимущества, возникающие за счет особенностей микроволнового нагрева, компенсируют нежелательный эффект – неоднородное распределение температуры. Универсального ответа на этот вопрос дать нельзя; конкретное решение следует искать для каждого отдельного приложения. По сути дела, исследование целесообразности применения микроволн для каждого процесса сводится к поиску такого компромисса. Микроволновый энерговклад должен быть достаточно большим, чтобы сделать заметным проявление специфических особенностей микроволновой обработки. В то же время получаемое распределение температуры должно быть достаточно ровным, чтобы обеспечить однородное протекание процесса во всем объеме материала, что, в свою очередь, приведет к однородности его микроструктуры и функциональных свойств.

Не следует думать, будто распределение температуры, характерное для микроволнового нагрева, оказывает только отрицательное воздействие на процесс спекания керамических материалов. Благодаря уменьшению температуры от внутренней области керамического образца к его поверхности его пористая структура остается открытой вплоть до более высокого среднего значения плотности [4]. Этот эффект приводит к ускорению уплотнения при микроволновом нагреве и достижению более высоких конечных плотностей, что подтверждается многими сравнительными исследованиями микроволнового и традиционного спекания. Имеется много других процессов, в которых распределение температуры, характерное для микроволнового нагрева, играет положительную роль. Одним из таких процессов является синтез реакционно-спеченного нитрида кремния (РСНК). Керамические материалы на основе РСНК являются перспективными для высокотемпературных применений (например, в автомобильных двигателях), поскольку они сохраняют механическую прочность до более высоких температур, чем другие керамические материалы. РСНК получают путем азотирования спрессованных кремниевых порошковых заготовок, которое осуществляется при нагреве до температуры реакции 1150-1450°С в атмосфере азота. При микроволновом нагреве имеется тенденция к протеканию реакции с более высокой скоростью во внутренней области образца, чем на его поверхности. В результате облегчается диффузия азота внутрь образца, поскольку фронт реакции азотирования распространяется наружу и пористая структура остается открытой дольше по сравнению со случаем изотермического нагрева. Это позволяет осуществлять азотирование заготовок, имеющих более высокую начальную плотность, что увеличивает прочность и трещиностойкость конечных изделий [19]. Подобную роль распределение температуры играет при микроволновом спекании материалов для высокотемпературных сверхпроводников YBCO, где присутствие кислорода в пористых заготовках из смеси оксидов необходимо для предотвращения потерь кислорода в процессе спекания [20].

Зависимость выделяемой микроволновой мощности от поглощательных свойств материалов открывает возможности для селективного нагрева, т. е. формирования желаемого распределения температуры в неоднородных материалах. При нагреве композиционного материала распределение температуры формируется в соответствии с поглощательными свойствами компонентов композита и их пространственным распределением в образце. В этой области одним из перспективных приложений является обработка композиционных материалов на основе керамических матриц, содержащих включения металлоорганических прекурсоров [21].

Другим направлением развития методов, использующих композиционную селективность микроволнового нагрева, является самораспространяющийся высокотемпературный синтез (СВС). Обусловленное микроволновым нагревом распределение температуры с максимумом во внутренней области образца обеспечивает инициацию реакции, которая затем распространяется к поверхности. Более того, селективность микроволнового нагрева позволяет поддерживать распространение химической реакции благодаря селективному нагреву либо исходных веществ, либо продуктов реакции, имеющих сильное микроволновое поглощение. Если продукт реакции слабо поглощает микроволновое излучение, наблюдается соконтролирующийся нагрев. Например, нитрид кремния, который формируется в реакции синтеза, имеет слабое микроволновое поглощение. Поэтому в отличие от реакции СВС, проводимой при традиционном нагреве, нитрид кремния не нагревается и не окисляется в ходе реакции [22].

Перспективной областью применения методов микроволновой обработки является создание функционально градиентных материалов (ФГМ). Ожидается, что ФГМ будут иметь улучшенные эксплуатационные свойства в таких областях, как производство энергии, керамические двигатели, газовые турбины, термоядерный синтез и др. Для этих новых технологий часто требуются свойства, недостижимые при применении какого-либо одного материала. Основной идеей концепции ФГМ является комбинация различных материалов, объединяющая преимущества каждого из них. Для высокотемпературных приложений перспективны металлокерамические ФГМ. Одним из методов их создания является спекание смесей металлических и диэлектрических порошков с пространственно изменяющимся отношением объемного содержания металла и диэлектрика. Этот подход направлен на снижение остаточных термоупругих напряжений, которые не допускают непосредственного нанесения керамических покрытий на металлы. В настоящее время исследования в области применения микроволнового нагрева для создания ФГМ находятся на ранней стадии развития. Продемонстрирована возможность микроволнового спекания многих важных для практики металлокерамических композиций, таких как А1203 – сталь, А1203 – Mo, Zr02 – Ni80Cr20 [23]. Возможность целенаправленного использования селективного микроволнового поглощения для создания ФГМ остается пока неисследованной.

Селективное поглощение микроволнового излучения используется при соединении керамических материалов, начиная с пионерской работы [24], в которой два образца из керамики на основе оксида алюминия были соединены через прослойку из стеклообразного материала. Применение тонкого слоя материала, обладающего большими диэлектрическими потерями, для получения соединения между слабопоглощающими материалами получило широкое распространение в современных исследованиях. Использование такой прослойки облегчает нагрев и соединение, но ограничивает эксплуатационные свойства изделия, поскольку при высоких температурах происходит размягчение стеклообразного материала. Попытки же непосредственного соединения образцов из чистого оксида алюминия при использовании микроволнового излучения диапазона 2,45-6 ГГц не приносят успеха из-за невозможности достижения температуры, необходимой для соединения. В этой связи привлекательным является использование для нагрева излучения миллиметрового диапазона, которое устраняет необходимость в прослойке и позволяет получать изделия для высокотемпературных применений путем соединения.

Если для некоторого материала в некотором диапазоне частот глубина проникновения микроволнового излучения достаточно мала, выделение энергии микроволн происходит только в приповерхностном слое материала. Такой режим микроволнового нагрева может рассматриваться как еще один метод поверхностной обработки материалов интенсивными потоками энергии, который может дополнять или замещать такие широко распространенные в практике методы, как обработка электронными и ионными пучками, плазменная и лазерная обработка. Микроволновая обработка поверхности наиболее целесообразна в миллиметровом диапазоне, для которого разработаны гиротронные источники с мощностью в непрерывном режиме порядка 10-30 кВт на частотах 24-83 ГГц [25]. При использовании квазиоптических методов преобразования структуры электромагнитного поля рабочей моды гиротрона излучение может быть сформировано в виде сфокусированного волнового пучка. Простые оценки показывают, что при фокусировании излучения упомянутых гиротронов в область с размерами порядка длины волны достигается интенсивность порядка 2-105 Вт/см2.

Обработка излучением миллиметрового диапазона имеет много общего с методами обработки излучением инфракрасных лазеров. В то же время гиротронные системы имеют ряд преимуществ по сравнению с лазерными: большая выходная мощность на один прибор, большая эффективность источника излучения (обычно около 0,4; более 0,6 у гиротронов с рекуперацией энергии электронного пучка), существенно более грубая система передачи излучения, малые потери излучения при передаче, возможность формирования любого желаемого распределения интенсивности в поперечном сечении волнового пучка.

Успешное применение излучения миллиметрового диапазона было продемонстрировано [26] для таких процессов, как квазиадиабатический нагрев металлических сплавов, соединение керамических высокотемпературных сверхпроводящих покрытий с металлическими подложками, создание полимерных покрытий на металле, соединение диэлектрических материалов и др.

2.                                                          Перспективы промышленного освоения

Микроволновая высокотемпературная обработка находится в основном в стадии лабораторных исследований. Известны лишь несколько пилотных промышленных проектов в этой области. Коммерциализация технологий микроволновой обработки зависит от многих взаимосвязанных факторов, рассмотрение которых во многом выходит за рамки этого обзора и может быть найдено в [1, 27].

Методы, эффективность которых была продемонстрирована в более низкотемпературных процессах (в пищевой, деревообрабатывающей, фармацевтической промышленности и т. п.), обычно не могут быть непосредственно перенесены в высокотемпературную область. Несмотря на то что лабораторные исследования обычно демонстрируют значительное сокращение продолжительности процессов и потребления энергии, к настоящему времени весьма немногие высокотемпературные процессы востребованы промышленностью. Очевидно, данный факт подтверждает наблюдение, сделанное более десяти лет назад на одном из первых симпозиумов по микроволновой обработке материалов: ”В тех случаях, когда микроволновая энергия успешно применяется для обработки материалов, капитальные затраты на оборудование редко, а возможно и никогда не окупаются экономией энергии. Скорее, микроволновая энергия была использована потому, что никакая иная форма энергии не приводила к созданию такой же добавленной стоимости” [28]. Соответственно, исследования в данной области должны быть направлены главным образом на изучение фундаментальных физических особенностей микроволновых процессов и целенаправленное использование микроволновых эффектов для создания материалов с новыми свойствами.

Решение многих проблем, связанных с микроволновым нагревом, существенно облегчается при использовании излучения миллиметрового диапазона, для использования которого в промышленных целях стандартом ISM отведена частота 24,125 ГГц. Большее поглощение энергии излучения миллиметрового диапазона во многих материалах, представляющих практический интерес, более высокая однородность распределения поля в аппликаторах даже умеренных размеров, лучшая устойчивость к эффекту ’’убегания” температуры делают обработку излучением миллиметрового диапазона уникальным методом. В дополнение к процессам, основанным на объемном нагреве, существуют значительные перспективы промышленного использования сфокусированных пучков излучения миллиметрового диапазона для поверхностной обработки материалов. В частности, этот метод имеет высокий потенциал в области создания термобарьерных покрытий.

Некоторые промышленные и пилотные проекты в области микроволновой высокотемпературной обработки материалов

Компания или исследовательская группа

Область деятельности

Микроволновое оборудование

ЕА Technology, Великобритания

Производство ряда керамических изделий, 15 тонн в сутки

Системы гибридного нагрева (газ + 415 МГц)

Sherritt Inc., Канада

Производство изделий из нитрида кремния, 1 кг/час

2,45 ГГц/5 кВт

Microwave Materials Technologies Inc., США

Различные керамические изделия

2,45 ГГц

Universitat Stuttgart – Universitat Dortmund, Г ермания

Керамические изделия из нитрида кремния для применения в автомобильных двигателях

2,45 ГГц;

28 ГГц (Varian /СРГ)

Институт прикладной физики РАН, Россия

Различные керамические материалы

30 ГГц /10 кВт, 2 установки (ИПФ/’Т иком")

Forschungszentrum Karlsruhe, Г ермания

Различные керамические материалы

30 ГГц /10 кВт (ИПФ/’Тиком")

National Industrial Research Institute Nagoya, Япония

Керамические изделия из нитрида кремния

28 ГГц, ~10 установок (Fuji Dempa)

Chinese Academy of Engineering Physics, Китай

Неорганический синтез

30 ГГц/10 кВт (ИПФ/’Тиком")

Важным для развития технологий микроволновой обработки является расширение спектра материалов и процессов. В то время как основные исследования и разработки в настоящее время сосредоточены в области диэлектрических керамических материалов и стекол, известны эксперименты по применению микроволновых методов в высокотемпературных процессах обработки полупроводниковых структур [29] и порошковых металлов [30]. Поиск ниши для микроволновых методов обработки в этих высокоразвитых отраслях с жесткой конкуренцией является чрезвычайно трудной задачей. Условием внедрения микроволновых технологий может быть только радикальное улучшение свойств продукта, что подчеркивает важность проведения фундаментальных исследований, направленных на поиск специфических микроволновых эффектов в этих материалах.

Важная роль как в исследованиях, так и в разработке конкретных приложений принадлежит моделированию микроволновых процессов. В то время как существует значительный объем коммерчески доступного программного обеспечения для моделирования электромагнитных полей, далеко не всегда его можно использовать совместно с программами для моделирования переноса тепла. Кроме того, несмотря на значительный прогресс, достигнутый в области моделирования микроволновых систем с рабочей частотой 2,45 ГГц, моделирование обработки излучением миллиметрового диапазона в сверхмногомодовых резонаторах будет еще долго представлять научную проблему, даже если мощность компьютеров будет возрастать с современной скоростью. Еще менее исследованным является воздействие микроволнового нагрева на эволюцию обрабатываемых материалов (например, на уплотнение и рост зерна при спекании). Все это означает, что разработка приложений должна сопровождаться развитием соответствующих моделей и методов моделирования, которые окажутся незаменимыми при практической реализации технологий высокотемпературной микроволновой обработки.

Таким образом, методы микроволновой высокотемпературной обработки материалов имеют значительный потенциал для промышленного применения. Наиболее перспективными приложениями являются те, которые используют специфические особенности микроволновой обработки и приводят к созданию материалов с новыми или радикально улучшенными свойствами. Важнейшей предпосылкой промышленного освоения микроволновой обработки является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований высокого уровня в области микроволнового воздействия на материалы.

Литература

1.        Schiffmann R. F. Microwaves: Theory and Application in Materials Processing III (Ceramic Transactions 59) / Ed. D. Clark, et al (Westerville: The American Ceramic Society). 1995. P. 7-16.

2.         Varadan V. К., et al. Microwave Processing of Materials (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 124) / Ed. W. H. Sutton, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1988. P. 45-47.

3.        Kriegsmann G. A. H Appl. Phys. 1992. V. 71. 1960-1966.

4.        Janney M. A. and Kimrey H. D. Microwave Processing of Materials II (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 189 / Ed. W. B. Snyder, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1990. P. 215-227.

5.        Bykov Yu. V., et al. Microwave Processing of Materials II (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 189 ) / Ed. W. B. Snyder, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1990. P. 41-42.

6.        Link G., et al. Microwave Processing of Materials V (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 430 ) / Ed. M. F. Iskander, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1996. P. 157-162.

7.        Eastman J. A., et al. Microwave Processing of Materials II (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 189 ) / Ed. W. B. Snyder, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1990. P. 273-278.

8.        Bergman D. J., Stroud D. Solid State Physics: Advances in Research and Applications / Ed. H. Ehrenreich and D. Turnbull (New York: Academic Press). 1992. V. 46. P. 147-269.

9.        Bykov Yu. V., Rybakov K. /., Semenov V. E. H Phys. D: Applied Physics, 2001. V. 34. R55- R75.

10.     Clemens J. and Saltiel C. Int. // Heat Mass Transfer. 1996. V. 39. 1665-1675.

11.     Feher /., et al. Microwave Processing of Materials V (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. F. Iskander, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1996. V. 430. P. 363-368.

12.    Semenov V. E., et al. Proc. 7th Intern. Conf. on Microwave and High Frequency Heating / Ed. D. Sanchez- Hernandez, et al (Valencia: Servicio de Publicaciones UPV). 1999. P. 57-60.

13.    Kingery W. D., et al. Introduction to Ceramics (New York: Wiley). 1976.

14.    Patterson M. C. L., et al Microwave Processing of Materials III (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. A. Janney, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1992. V. 269. P. 257-266.

15.    Patterson M. C. L., et al. Ibid. P. 291-299.

16.    Bykov Yu., et al. Nano Structured Materials. 1999. V. 12. 115-118.

17.    Gerdes T., et al. Microwave Processing of Materials V (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. F. Iskander, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1996. V. 430. P. 175-180.

18.    Kiggans J. O., et al. Microwave Processing of Materials III (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. A. Janney, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1992. V. 269. P. 285-290.

19.    Thomas J. J., et al. Microwave Processing of Materials III (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. A. Janney, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1992. V. 269. P. 277-283.

20.    Binner J. G. P., et al. Microwave Processing of Materials III (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. A. Janney, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1992. V. 269. P. 357-362.

21.    Willert-Porada M. Microwave Processing of Materials IV (Materials Research Society Symp. Proc.) / Ed. M. F. Iskander, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1994. V. 347. P. 31-43.

22.    Paton В. E., et al. MRS Bulletin. 1993. V. XVIII, № 11. P. 58-63.

23.    Willert-Porada M. A., et al. Functionally Graded Materials 1996 / Ed. I. Shiota, et al (Elsevier Science В. V.). 1997. P. 349-354.

24.    Meek T. T. and Blake R. D. U.S. 1985. Patent № 4 529 857.

25.    Bykov Yu., et al. Microwaves: Theory and Application in Materials Processing III (Ceramic Transactions 59) / Ed. D. Clark, et al (Westerville: The American Ceramic Society). 1995. P. 133-140.

26.    Быков Ю. В. и dp. Высокочастотный разряд в волновых полях / Под ред. А. Г. Литвака. Горький: Институт прикладной физики. 1988. С. 265-289.

27.    Tinga W. R. Microwaves: Theory and Application in Materials Processing IV (Ceramic Transactions 80) / Ed. D. Clark, et al (Westerville: The American Ceramic Society). 1997. P. 715-725.

28.    Snyder W. B., et al. Microwave Processing of Materials II (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 189) / Ed. W. B. Snyder, et al (Pittsburgh: Materials Research Society). 1990. P. XI.

29.    Zhang S.-L., et al. Thin Solid Films. 1994. V. 246. 151-157.

Roy R, et al. Nature. 1999. V. 399. 668-670.

Источник: ВАКУУМНАЯ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА: Сборник обзоров. — Нижний Новгород: Институт прикладной физики РАН, 2002. — 160 с.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты