На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.
Первый шаг процедуры статистического анализа прибора (здесь п-МОП транзистор) состоит в «преобразовании» технологических параметров в ВАХи транзистора с использованием модуля ATLAS программного комплекса компании Silvaco. Второй шаг заключается в экстракции SPICE-параметров из ВАХов на основании математического описания модели транзистора, например, BSIM4, с последующей процедурой оптимизации [107] или с использованием процедуры аналитической обработки ВАХов, заложенной в модуле ATLAS (здесь параметр FTH0). Некоторые SPICE-параметры определяются непосредственно из технологии (здесь Ν$υΒ — концентрация примесей в подложке и обсужденная выше величина^.).
В качестве электрической характеристики исследуемого п-МОП транзистора рассматривалась зависимость напряжения на стоке от напряжения на затворе транзистора (от 0 до 3 В). Ниже приведены графики полученных зависимостей вольтамперных характеристик при номинальных значениях технологических параметров (рис. 5.14, см. цв. вклейку), при максимальной (рис. 5.15, см. цв. вклейку) и минимальной (рис. 5.16, см. цв. вклейку) величине порогового напряжения, а также все три рассмотренных ВАХ, приведенные на одном графике (рис. 5.17, см. цв. вклейку).
Рис. 5.14. Результат расчета вольт-амперной характеристики η-ΜΟΠ-транзистора, полученного при номинальных технологических параметрах (порогового напряжения ^„ = 0,511 В)
Рис. 5.15. Результат расчета вольт-амперной характеристики п-МОП-транзистора при условиях, дающих максимальное значение величины порогового напряжения (Утио = 0,537 В) из всех исследованных в статистическом анализе
Рис. 5.16. Результат расчета вольт-амперной характеристики п-МОП-транзистора при условиях, дающих минимальное значение величины порогового напряжения (Утио = 0,471 В) из всех исследованных в статистическом анализе
Рис. 5.17. Сводные зависимости напряжения на затворе от тока стока, представленные на рис. 5.32—5.34
На основании использования собственной методики экстракции SPICE-na- раметров из совокупности вольт-амперных характеристик получены следующие SPICE-параметры в модели nmos NMOS исследуемого МОП-транзистора, соответствующие структуре и распределениям примесей, рассчитанных при моделировании технологического маршрута ее формирования:
.MODEL nmos NMOS (LEVEL=3 Xj=0.172986e-6 VTO=0.50801 + NSUB=1E17)
Параметр NSUB был задан в качестве исходного при моделирования технологии.
Источник: Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С., Полупроводниковая силовая электроника, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. цв. вкл.
- Предыдущая запись: Электронно-лучевой осциллограф в электротехнике
- Следующая запись: Поверхностная закалка стальных изделий
- ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ АВТОМОБИЛЬНОГО РАДИОПРИЕМНИКА (0)
- ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АККУМУЛЯТОРА (0)
- ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛИТИЙ-НОННОГО ЭЛЕМЕНТА КОНТРОЛЛЕР ЗАРЯДНОГО УСТРОЙСТВА (0)
- ОГРАНИЧИТЕЛЬ ЗАРЯДНОГО TOKA АККУМУЛЯТОРА (0)
- ЗВУКОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХРАНЫ МОТОЦИКЛА (0)
- ИНДИКАТОР НАПРЯЖЕНИЯ АККУМУЛЯТОРНОЙ БАТАРЕИ ПРОСТАЯ СХЕМА (0)
- ИНДИКАТОР УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕМЕНТА ПИТАНИЯ (0)