Схема защиты выхода микросхемы стабилизатора напряжения от тока короткого замыкания

March 23, 2015 by admin Комментировать »

На рис. 3.17 представлены два варианта реализации схемы защиты выхода микросхемы от последствий воздействия тока, протекающего на выходе микросхемы в режиме короткого замыкания.

Схема на рис. 3.17а характеризуется тем, что при увеличении выходного тока (/ ых) создается падение напряжения на низкоомном резисторе R1. При достижении напряжения от 0,65 до 0,67 В открывается транзистор ТЗ. Его ток коллектора ограничивает ток базы транзистора Т1, и выходной ток уменьшается.Рис. 3.17. Схемы защиты от тока короткого замыкания выхода ИМС стабилизатора напряжения

Схема на рис. 3.176 характеризуется тем, что при увеличении численного значения выходного тока создается падение напряжения на низкоомном резисторе R1. Ток генератора (ΤΙ, Т2), который является током базы ТЗ, изменяется, и, следовательно, уменьшается (ограничивается) выходной ток стабилизатора.

Подгонка параметров микросхем в процессе производства путем пережигания перемычек

В процессе производства пластин ИМС параметры элементной базы имеют технологический разброс. Различные значения принимают 1/БЭ включенного транзистора, сопротивления слоев базы, эмиттера, коллектора, сопротивления контактов к вскрытым областям, сопротивления резисторов и др. Вследствие этого параметры ИМС (для стабилизаторов это прежде всего Uon и 1/вых) будут отличаться от пластины к пластине и даже от кристалла к кристаллу на одной пластине.

Для того, чтобы параметры ИМС соответствовали более жестким требованиям, чем это обеспечивает разброс серийного технологического процесса, используется операция подгонки параметров ИМС в процессе производства.

Рис. 3.18. Классическая схема ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника

Технологический разброс численных значений основного электрического параметра ИМС стабилизатора «Выходное напряжение» без подгонки в процессе производства составляет от 2 до 5% (начальная точность установки входного напряжения). То есть, для пятивольтного стабилизатора выходное напряжение может принимать значение от 4,75 до 5,25 В. Для обеспечения большей точности установки 1/вых необходима подгонка в процессе производства. Путем подгонки возможно достижение 1/лык ± 0,5% и менее. Обычно подгоняются численные значения величины сопротивления резисторов. Вспомним классическую схему ИОН с напряжением запрещенной зоны полупроводника (рис. 3.18). Для установки точного значения выходного напряжения 5 В возможна подгонка резисторов R5, R6. Для установки точного значения опорного напряжения Uon 1,22 В возможна подгонка резистора R2.

Рис. 3.19. Схема включения диодных (д), поликремниевых и металлических А1 (б) перемычек

В процессе подгонки последовательно (или параллельно) секциям основного резистора подключаются (или отключаются) дополнительные секции резисторов (рис. 3.19).

На рис. 3.19д показан случай параллельного подключения диодных перемычек, а на рис. 3.195 — поликремниевых и металлических перемычек. Выбор первого или второго метода определяется конкретными возможностями используемого для изготовления ИМС базового технологического процесса.

На рис. 3.20 представлена типовая структура диодных, металлических и поликремниевых перемычек, используемых для подгонки параметров в процессе серийного производства.

Рис. 3.20. Эскизная топология и структура диодных перемычек

Рис. 3.21. Эскиз конструкции пережигаемых перемычек — металлическая {а) и поликремневая (б)

На рис. 3.21 представлен эскиз топологии металлической (а) и поликремниевой (б) пережигаемых перемычек.

Источник: Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С., Полупроводниковая силовая электроника, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. цв. вкл.

Оставить комментарий

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты