Схемотехническая реализация источников опорного напряжения (ИОН)

May 28, 2015 by admin Комментировать »

Получение опорного напряжения, не зависящего от изменений температуры, напряжения питания и прочих факторов, очень важно для ИМС стабилизаторов напряжения. Кроме того, источники опорного напряжения используются во всех аналоговых ИМС для стабилизации внутреннего напряжения питания аналоговых блоков.

Схемотехнические варианты построения простейших источников опорного напряжения, представленные на рис. 3.9 [114], могут быть выполнены на диодах в прямом включении (а), МОП-транзисторах в диодном включении (б) или на стабилитроне (в).

Рис. 3.9. Эквивалентные электрические схемы простейших источников опорного напряжения на диодах в прямом включении (а), МОП-транзисторах в диодном включении (б) и на стабилитроне (в)

Поскольку эти простейшие ИОН не обладают удовлетворительной температурной стабильностью, они в основном и предназначены для применения в электрических цепях формирования статического смещения.

Если стандартный ИОН на диоде в прямом включении имеет температурный дрейф от минус 1,5 до минус 2,2 мВ/°С, то схема рис. 3.9# на стабилитроне обеспечивает значение температурного дрейфа уже от 1,5 до 5 мВ/°С. В настоящее время в современных ИМС стабилизаторов напряжения данные ИОН используются достаточно редко, их заменили более прогрессивные схемотехнические решения, которые рассмотрены ниже.

Источник: Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С., Полупроводниковая силовая электроника, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. цв. вкл.

Оставить комментарий

Устройство витков выходе генератора импульсов микросхемы мощности нагрузки напряжение напряжения питания приемника пример провода работы радоэлектроника сигнал сигнала сигналов сопротивление схема теория транзистора транзисторов управления усиления усилитель усилителя устройства частоты